新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯度缓冲层设计、超薄漂移区设计，大幅度提升器件的电流密度。同时优化了器件的开关特性，为系统设计提供更大的余量。
2024-08-15 16:34
150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用全新屏蔽栅沟槽技术，特征导通电阻Rsp（导通电阻Ron*芯片面积AA）相对上一代降低43.8%，具备更高的电流密度和功率密度。同时，二极管
2024-08-15 16:36
瑞能G3 超结MOSFET Analyzation 瑞能超结MOSFET “表现力”十足 可靠性表现 可靠性保障 •瑞能
2025-05-22 13:59
随着AI技术井喷式快速发展，进一步推动算力需求，服务器电源效率需达97.5%-98%，通过降低能量损耗，来支撑高功率的GPU。为了抓住市场机遇，瑞能半导体先发制人，推出的第三代超结MOSFET，能全面满足高效能需求。
2025-05-22 13:58
根据Global Market Insights的调查，超级结MOSFET在去年在能源和电力领域中的市场份额超过30%，覆盖了电动车充电桩、服务器和数据中心电源、LED驱动、太阳能逆变器、家电控制等多个领域。预计到2032年，全球超级结
2024-07-29 14:38
2153X系列是高压、高速功率自振荡半桥驱动产品线。 2153X浮动通道可用于驱动高低侧N沟道功率MOSFET/IGBT，浮地通道最高工作电压可达600V。内置死区保护电路，可以有效防止高低侧功率管直通。2153X全系列内置自举电路，可以简化芯片外围电路。
2025-07-28 14:02
MOSFET是一种半导体器件，属于可控硅器件，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它可以用来控制电流和电压。
2023-02-17 14:48
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常又称为N型
2023-04-13 09:40
MOSFET的并联使用
2023-12-19 09:40
