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    650V Gen.7系列IGBT产品,基于微沟槽场截止技术,可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯度缓冲层设计、超薄漂移区设计,大幅度提升器件的电流密度。同时优化了器件的开关特性,为系统设计提供

    2024-08-15 16:34

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    2024-02-23 10:50

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    2024-04-18 16:33 贞光科技 企业号

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    2023-10-31 09:53