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  • 650V Gen.7 IGBT系列产品介绍

    650V Gen.7系列IGBT产品,基于微沟槽场截止技术,可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯度缓冲层设计、超薄漂移区设计,大幅度提升器件的电流密度。同时优化了器件的开关特性,为系统设计提供更大的余量。

    2024-08-15 16:34

  • 1500V和1700V系列功率VDMOS新品介绍

    在变频器辅助电源或光伏逆变器中,辅助电源的主要作用是将DC高压降压后,为驱动IC、主控MCU、通讯模块芯片等供电。以380V系统的变频器为例,因辅助电源取电是380V整流后的高压输入,而整流滤波后的电压一般在550V左右,变频器辅助电源一般是反激设计,一般需要功率器件留有1.5-2.5倍的余量,以2.5倍最高耐压余量计算就是需要耐压1375V,故需要应用到1500V耐压的MOS管。光伏逆变器辅助电源中,由于母线电压和功率不同,一般会选用单管反激或双管反激拓扑,无论那种拓扑都离不开核心的功率器件,即1500V~1700V 功率MOS。

    2023-10-16 11:38

  • 150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品介绍

    150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用全新屏蔽栅沟槽技术,特征导通电阻Rsp(导通电阻Ron*芯片面积AA)相对上一代降低43.8%,具备更高的电流密度和功率密度。同时,二极管反向恢复特性大幅优化,反向恢复电荷Qg相对上一代降低43%,更利于减小电路应用中的电压、电流尖峰,增强电路系统稳定性。另外,从器件本身出发,通过设计优化,加强了栅极抗振荡能力,使其更不易发生米勒振荡,减少电路应用的开发时间和成本。全系产品的阈值电压Vth相对上一代产品也做了提升,最大程度防止误开启现象。

    2024-08-15 16:36

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    老生常谈我们先结合手册认识下这个器件:我们以无锡新的NCE2302为例。

    2023-11-13 16:47

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    。它对步进电机,开关电源等终端产品的安规及可靠性有着紧密的影响。新是国内为数很少的、拥有自主半导体器件工艺设计能力的功率集成电路设计公司,显著区别于只能采用晶圆厂标准工艺制程的一般设计公司。

    2024-08-15 16:29

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    2024-05-20 15:37

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    2023-09-14 16:10

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    2024-05-17 15:00

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    2020-03-18 09:01

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    2024-05-20 15:35