新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯度缓冲层设计、超薄漂移区设计，大幅度提升器件的电流密度。同时优化了器件的开关特性，为系统设计提供更大的余量。
2024-08-15 16:34
在变频器辅助电源或光伏逆变器中，辅助电源的主要作用是将DC高压降压后，为驱动IC、主控MCU、通讯模块芯片等供电。以380V系统的变频器为例，因辅助电源取电是380V整流后的高压输入，而整流滤波后的电压一般在550V左右，变频器辅助电源一般是反激设计，一般需要功率器件留有1.5-2.5倍的余量，以2.5倍最高耐压余量计算就是需要耐压1375V，故需要应用到1500V耐压的MOS管。光伏逆变器辅助电源中，由于母线电压和功率不同，一般会选用单管反激或双管反激拓扑，无论那种拓扑都离不开核心的功率器件，即1500V~1700V 功率MOS。
2023-10-16 11:38
2153X系列是高压、高速功率自振荡半桥驱动产品线。 2153X浮动通道可用于驱动高低侧N沟道功率MOSFET/IGBT，浮地通道最高工作电压可达600V。内置死区保护电路，可以有效防止高低侧功率管直通。2153X全系列内置自举电路，可以简化芯片外围电路。
2025-07-28 14:02
150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用全新屏蔽栅沟槽技术，特征导通电阻Rsp（导通电阻Ron*芯片面积AA）相对上一代降低43.8%，具备更高的电流密度和功率密度。同时，二极管反向恢复特性大幅优化，反向恢复电荷Qg相对上一代降低43%，更利于减小电路应用中的电压、电流尖峰，增强电路系统稳定性。另外，从器件本身出发，通过设计优化，加强了栅极抗振荡能力，使其更不易发生米勒振荡，减少电路应用的开发时间和成本。全系产品的阈值电压Vth相对上一代产品也做了提升，最大程度防止误开启现象。
2024-08-15 16:36
老生常谈我们先结合手册认识下这个器件：我们以无锡新洁能的NCE2302为例。
2023-11-13 16:47
。它对步进电机，开关电源等终端产品的安规及可靠性有着紧密的影响。新洁能是国内为数很少的、拥有自主半导体器件工艺设计能力的功率集成电路设计公司，显著区别于只能采用晶圆厂标准工艺制程的一般设计公司。
2024-08-15 16:29
随着可再生能源技术的不断进步和能源需求的日益增长，储能技术作为能源系统的重要组成部分，其重要性日益凸显。在储能技术的众多分支中，移动储能和便携储能作为两种新兴的储
2024-05-20 15:37
电源是一种将其它形式的能转化为电能的装置。 这些其它形式的能包括我们已知的所有能量形式，例如化学能、机械能、太阳能等。
2023-09-14 16:10
在能源管理领域中，储能技术的发展和应用日益受到重视。随着能源结构的调整和可再生能源的普及，储能技术成为解决能源供需不平衡、提高能源利用效率、优化资源配置的重要手段。在众多储能模式中，共享储
2024-05-17 15:00
