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型号：IPD800<b class='flag-s-7'>N06NG</b>-VB 品牌：微碧

## 产品简介IPD800N06NG-VB是VBsemi公司推出的N沟道场效应管。作为一款高性能的功率器件，它具有60V的最大耐压、45A的最大电流以及低导通电阻，适用于各种需要高电压和高电流驱动

2024-06-03 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：APM7512<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介APM7512NG-VB 是一种单 N 沟道 MOSFET，封装在 TO263 外壳中。该器件采用沟槽技术制造，专为高电流、高电压应用设计。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合

2024-12-31 14:58 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：APM4008<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介详述：APM4008NG-VB 是一款单通道 N 沟道场效应管（Single-N-Channel MOSFET），采用先进的沟槽技术（Trench）。它

2024-12-30 17:46 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IPD230<b class='flag-s-7'>N06NG</b>-VB 品牌：微碧

一、产品简介：IPD230N06NG-VB是一款N沟道场效应管，由品牌VBsemi生产。该器件具有60V的漏极-源极电压额定值，能够承受最大45A的漏极电流。其导通状态

2024-06-03 17:25 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：APM3055<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介详细：APM3055NG-VB 是一款高性能的单路N沟道场效应管，采用先进的Trench技术制造，封装为TO263。该器件具有30V的漏极-源极电压（V

2024-12-30 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：MSCGLQ50DU120CTBL1<b class='flag-s-7'>NG</b> 品牌：

MSCGLQ50DU120CTBL1NG型号简介       MSCGLQ50DU120CTBL1NG是Microchip推出的一款功率模块，这款功率模块

2025-02-13 15:33 立年电子科技 企业号

型号：IPD400<b class='flag-s-7'>N06NG</b>-VB 品牌：微碧

产品简介：IPD400N06NG-VB 是由 VBsemi 公司生产的 N-Channel 沟道场效应晶体管，具有60V的漏极-源极电压承受能力和45A的漏极电流。采用

2024-06-03 17:49 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：MSCSM170HRM11<b class='flag-s-7'>NG</b> 品牌：

MSCSM170HRM11NG型号简介       MSCSM170HRM11NG是Microchip推出的一款功率模块，这款功率模就像一位电力“超人”，拥有

2024-12-03 15:02 立年电子科技 企业号

型号：MSCSM120HRM08<b class='flag-s-7'>NG</b> 品牌：

MSCSM120HRM08NG型号简介       MSCSM120HRM08NG是Microchip推出的一款三相桥式功率模块，它将 SiC MOSFET

2024-10-29 10:33 立年电子科技 企业号

型号：MSCSM120DDUM31CTBL2<b class='flag-s-7'>NG</b> 品牌：

MSCSM120DDUM31CTBL2NG型号简介       MSCSM120DDUM31CTBL2NG是Microchip推出的一款功率模块，这款功率模块

2025-02-13 15:16 立年电子科技 企业号