这一系列数字晶体管设计取代单一设备及其网络外部电阻器的偏见。 偏置电阻晶体管（BRT）包含一个晶体管与单一的偏向网络组成的两个电阻;一系列基础电阻器和基极发射极电阻。
2017-04-05 15:04
这一系列数字晶体管的目的是取代一个单一的设备和它的外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单一的偏置电阻网络组成的两个单晶体管；电阻和串联基地基地发射极电阻。
2017-04-05 15:17
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2025-05-13 17:03
2022-12-01 22:48
1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个PN结分别称为集电结（C、B极
2013-08-17 14:24
本文为大家介绍“Si晶体管”（之所以前面加个Si,是因为还有其他的晶体管，例如SiC）。 虽然统称为“Si晶体管”，但根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外，还可根据处理
2020-06-09 07:34
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2019-07-23 00:07
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2012-04-19 06:47
。作者简介 ：铃木雅臣，任职于Accuphase公司，主要从事数字视听设备设计工作。生于日本东京。著有《新·低频/高频电路设计入门》、《晶体管电路设计》等。目录：第一章 概述学习晶体管电路或FET电路
2017-07-25 15:29
