SiC模块，对比相同充放电功率情况下SiC与MOSFET或者IGBT的温升。预计成果：在性能满足要求，价格可接受范围内，后续适用到产品中
2020-04-24 18:09
本帖最后由 暗星归来 于 2016-9-6 12:53 编辑 如题，因为要对电池进行管理，对充电过程和放电过程控制其何时开始充电、停止充电、何时放电、何时停止放电，所以用两个N沟道增强型
2016-09-06 12:51
版）实用电力电子技术丛书《MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用》MOS管驱动电路总结电源中的MOSFET性能的四项关键测试PFC中开关mosfet驱动电路的设计与讲解电流采样运
2019-04-19 17:45
毕设要求做一个脉冲发生器模拟局部放电脉宽需要达到纳秒级别我的想法是通过开关器件的高速开关来产生脉冲，然后用pwm芯片来控制开关管的导通现在的问题是，纳秒级别，也就是100MHz左右的频率，用mosfet和基于dds芯片产生的pwm控制信号可以完成这样的频率要求吗？
2016-04-21 16:01
，在t1时刻，到达维持电压Vth，MOSFET 开始导电；［t1-t2］区间，MOSFET 的DS 电流增加，Millier 电容在该区间内因DS 电容的放电而放电，对
2021-09-05 07:00
间内因DS 电容的放电而放电，对GS 电容的充电影响不大；[t2-t3]区间，至t2 时刻，MOSFET 的DS 电压降至与Vgs 相同的电压，Millier 电容大大增加，外部驱动电压对Millier 电容
2021-08-29 18:34
完全释放干净。当原边的MOSFET都处于关断状态时，串联谐振电路中的谐振电流会对开关管MOSFET的等效输出电容进行充放电。MOSFET都关断时的等效电路如下图所示：通
2018-07-18 10:09
完全释放干净。当原边的MOSFET都处于关断状态时，串联谐振电路中的谐振电流会对开关管MOSFET的等效输出电容进行充放电。MOSFET都关断时的等效电路如下图所示：通
2018-07-13 09:48
的电荷可以在死区时间内被完全释放干净。 当原边的MOSFET都处于关断状态时，串联谐振电路中的谐振电流会对开关管MOSFET的等效输出电容进行充放电。MOSFET
2018-11-21 15:52
的能量将会通过MOSFET放电，产生损耗。 许多资料中，理论的Coss放电产生的损耗为：从上式可以看到，Coss放电产生的损耗和容值、频率成正比，和电压的平方成正比。在
2017-03-28 11:17
