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型号：9916<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

### 9916J-VB 产品简介9916J-VB 是一款单 N 沟道场效应管（MOSFET），采用先进的沟道技术，具有低导通电阻和高漏极电流特性，适用于各种需要高效能和高功率的电子应用场

2024-11-26 15:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9912<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

### 9912J-VB MOSFET 产品简介9912J-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，封装为TO251。具有优秀的导通特性和低导通电阻，适用于需要高效能转换和电源管理

2024-11-26 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>J100N</b>50X4B 品牌：

TTM Technologies 的 J100N50X4B 是一款端接器，频率 DC 至 4 GHz、功率 100 W、回波损耗 22 至 26 dB、工作温度 -55 至 150 摄氏度。标签

2023-08-17 15:43 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：SMA6<b class='flag-s-7'>J</b> SERIES 品牌：江苏芯格诺

系列型号：SMA6J5.0A、SMA6J6.0A、SMA6J6.5A、SMA6J7.0A、SMA6J7.5A、SMA6

2022-07-26 10:23 江苏芯格诺电子科技有限公司 企业号

型号：MTB30<b class='flag-s-7'>N06J</b>3-VB 品牌：微碧

MTB30N06J3-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应管，丝印标识为VBE1638。该器件采用TO252封装，具有60V的漏极-源极电压承受能力，45A的漏极电流承受能力，以及RDS(ON)为

2024-06-18 13:37 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SMB10<b class='flag-s-7'>J</b> SERIES 品牌：江苏芯格诺

封装形式：SMB10J5.0A、SMB10J6.0A、SMB10J6.5A、SMB10J7.0A、SMB10J7.5A、

2022-07-26 11:03 江苏芯格诺电子科技有限公司 企业号

型号：9960<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介9960J-VB 是一款TO251封装的单通道N沟道MOSFET，采用Trench技术。它具有低导通电阻和高漏极电流能力，适用于需要高效能和可靠性的功率开关和电源管理

2024-11-26 16:13 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9915<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介**产品型号：** 9915J-VB  **封装形式：** TO251  **配置：** 单N沟道MOSFET  **技术：** Trench技术

2024-11-26 15:29 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：EMF50<b class='flag-s-7'>N03J</b>-VB 品牌：微碧

产品型号: EMF50N03J-VB丝印: VB1330品牌: VBsemi参数: - 封装类型: SOT23- 沟道类型: N—Channel- 最大漏极电压: 30V- 最大漏极电流

2024-03-30 15:58 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9918<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介详细VBsemi MOSFET 9918J-VB 是一款单N沟道型MOSFET，采用TO251封装。具有以下主要特性：- **VDS (漏极-源极电压)**: 30V-

2024-11-26 15:41 微碧半导体VBsemi 企业号