使用的FLASH是SST39VF3201按照芯片手册编写了写编程程序和擦除程序，发现擦除或写编程10多次才偶尔有一次擦除成功，哪位高手知道是什么原因吗？程序代码为：as
2014-05-22 08:49
写一个程序需要先将flash上的程序进行擦除，看了很多的额资料，提到的都是用函数或者命令直接对flash进行擦除。我非常想知道，抛开已经封装好的函数或者命令不说，
2019-09-09 12:36
查资料知道2553的flash分4段，每段64字节，共ABCD四段，其中“A 段包含校准数据。在复位之后，为A 段提供针对编程及擦除的保护。可以将其解锁，但如果需要器件专用的校准数据，应注意不要将该段擦除。”，现在想
2018-09-25 09:38
代码如下：volatile FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_COMPLETE;/*FLASH擦除完成标志*/int main(void
2016-08-30 18:19
FLASH的擦除与写入
2021-08-02 08:49
我用的CCS5.2， 烧写Flash时，是可以指定需要擦除的分区的，如下图：我的问题是，每个工程必须擦除Flash A吗？如上图我的工程是占用了B和H两个的，不用A，但
2018-12-06 11:36
我想问下在写flash擦除命令字 ‘60’之前 。要不要写使能命令“06”
2016-01-01 11:29
STM32开发板，外部FLASH为W25Q64，想问问void SPI_FLASH_SectorErase(u32 SectorAddr)这个函数是擦除了多少个字节，如果想要擦
2017-05-08 16:47
429 FLASH 为1M, 我想配置为dual bank， 每块512M.设置DB1M成功。现在想擦除dual bank 15 sector, 即#define
2018-09-19 09:24
Page_Mum = GetPage(addr); FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_PAGES; //擦除类型，页擦除
2023-09-20 07:06
