和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的
2023-06-16 06:04
`国外MOSFET管子参数对照手册`
2012-10-10 10:32
另一方面，诸如FET固有体二极管的输出电荷 (QOSS) 和反向恢复电荷(Qrr) 等开关参数是造成很多高频电源应用中大部分FET开关损耗的关键因素。不好意思，我说的这些听起来有点儿前言不搭后语
2022-11-18 08:05
FT245RL产品参数描述【标准包装】：490【类别】：射频/IF 和 RFID【家庭】：RF 收发器【包装】：托盘 【频率】：2.4GHz【数据速率（最大值）】：1Mbps【调制或协议】：ANT【应用】：住宅/楼宇自动化，工业控制和监控
2017-10-12 17:57
这家，各种好评也是比较多，想着曝光量这么多，用的人应该不少，就申请了一点样品试一下，以下是MDQ200-16的参数和图片：MDQ200-16参数描述型号：MDQ200-16封装：M22特性：单相整流模块电性
2021-09-02 07:06
编辑-ZMB6S参数描述型号：MB6S封装：MBS-4 (SOP-4)特性：小方桥、贴片桥堆电性参数：1A 600V芯片材质：GPP正向电流(Io)：1A芯片个数：4正向电压(VF)：1.1V浪涌
2021-12-28 07:12
编辑-ZD55XT80参数描述型号：D55XT80封装：DXT-5特性：电机专用整流桥电性参数：55A 800V正向电流(Io)：55A正向电压(VF)：1.1V浪涌电流Ifsm：550A漏电
2021-09-01 06:53
原文章链接为开关电源关键元件的各个参数中英文对照表！肖特基二极管 SymbolParameter中文翻译VRRMPeak repetitive reverse voltage反向重复峰值电压
2021-10-29 06:06
来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。MOSFET的主要特性参数 “MOSFET”是英文 MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的缩写
2016-05-23 11:40
编写版本：V1.0LDO与DC/DC对比根据上文LDO与DC/DC参数选型描述1.优劣势对比LDO优点：外围器件少，电路简单，成本低，负载响应快，输出纹波小，噪音小。DC/DC优点：转换效率高
2021-11-16 08:17
