很久，对于轻度掺杂或者重度掺杂的半导体，无论是N型半导体或者P型半导体，其本质也是呈现电中性的，那为什么会有N或者P型半导体的说法，其中的空穴或者电子导电，与其对应的电子或者空穴却没有移动形成电流
2024-02-21 21:39
为什么n外延层中掺杂浓度低时漏区先击穿，掺杂浓度较高时却是源区先击穿呢？（N外延区均全耗尽）能详细讲一下这个过程吗，这里不太能理解，谢谢。
2021-09-11 18:48
通过仿真讨论电阻掺杂比例对、电流i、电压v关系的影响，怎么设置电阻的掺杂比例啊，小白一个，请求各位大神指教，给点资料也好。QQ787356113
2013-03-08 14:33
跪求哪位大神提供有关忆阻元件的资料，我抽到了“材料掺杂对忆阻元件电流电压关系影响的研究”
2013-03-05 19:15
一种MOS器件的失效模式：双峰效应（double－hump）越来越受到人们的重视。用什么方法才能使双峰效应的程度得以量化？ 并且通过对量化数字的评估，可以定性和定量地了解和确定最优化的掺杂浓度条件？
2021-04-07 06:29
以增强型MOS管为例，分为NMOS和PMOS管分析这两种MOS管的工作原理 1、NMOS的结构图为例，以P型材料为衬底，扩散两个N掺杂的区域，向外引出三个电极，G极S极D极，为了确保栅极对导电沟道
2024-06-10 19:33
设计的ad模数转换电路，ad9283使用的参考电压是1.876v，但测量范围只是1.694v到0.163v，这是什么问题造成的？是不是电源设计的有问题，还是电路掺杂了干扰？
2016-03-10 09:07
摘要：提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化
2019-07-31 07:30
用新唐N32926这个芯片解码出RGB565的数据格式发现2个问题： 1 解压出来的颜色值不纯，例如一张红色的图片解压出来不是纯红色的值，也会掺杂其他的颜色值，导致图像画面对比度差； 2 黑色像素点解压出来的RGB565的数据不是0000h,而是1082h; 哪位大神能帮忙解答一下？谢谢
2023-06-15 07:35
各位大神好我在循环里通过串口接收8个通道的数据，由于8个通道公用一个串口，我通过条件结构把数据分成8份，想在循环外通过索引得到8个数组但是有个问题是 错误提示有未连接隧道， 我只想得到原始数据，不想掺杂着默认值，问问各位，我怎么才能把数据分8 类，并在循环外得到8个数组
2014-04-20 01:50
