掺锑和掺磷硅单晶是两种不同的半导体材料，它们的物理特性受到掺杂剂类型的影响。
2024-04-09 09:41
掺杂对PN结伏安特性的影响是半导体物理学中的一个重要议题。PN结作为半导体器件的基础结构，其性能在很大程度上取决于掺杂浓度、掺杂类型以及掺杂分布等因素。以下将详细探讨
2024-07-25 14:27
本征态的半导体材料在制作固态器件时是无用的，因为它没有自由移动的电子或者空穴，所以不能导电。然而，通过一个叫做掺杂的过程，将特定的元素被引入本征半导体材料，这时候，新产生的材料就有了可以导电的性质
2023-11-13 09:36
通常，用射频电源产生高浓度等离子体电离掺杂气体，而用偏置电源加速离子去“轰击”圆片表面。最常用的 PLAD 掺杂气体为 B2H6，用于硼掺杂。对于需要非常高剂量的圆片摻杂的产品，由于离子注入机需要“点”式扫描注入，即
2022-11-01 10:14
掺杂定义：就是用人为的方法，将所需的杂质（如磷、硼等），以一定的方式掺入到半导体基片规定的区域内，并达到规定的数量和符合要求的分布，以达到改变材料电学性质、制作PN结、集成电路的电阻器、互联线的目的。
2022-03-30 10:17
热解法直接选用含N的聚合物与硅共混，高温热解后得到的包覆碳层通常会含N。Che等[1]采用六亚甲基四胺(HMT)作为N源，将纳米硅与HMT在溶液中共混后于1000°C煅烧制得N掺杂的硅/碳材料。
2022-07-04 11:05
微量掺杂元素在半导体器件的发展中起着至关重要的作用，可以精准调控半导体的电学、光学性能。对器件中微量掺杂元素的准确表征和分析是深入理解半导体器件特性、优化器件性能的关键步骤，然而由于微量掺杂元素含量极低，对它的检测和
2025-04-25 14:29
9月3日消息，日本东京大学的Shun Watanabe教授（通讯作者）团队报道了一种利用阴离子交换来克服聚合物半导体掺杂过程中电荷转移限制的方法。作者利用噻吩类共轭聚合物聚-PBTTT与四氟四氰基
2019-09-10 17:46
当晶体管尺寸缩小时，多晶硅内掺杂物的扩散效应可能会影响器件的性能。
2023-06-11 09:09
作者通过第一性原理计算发现通过对铁电材料的掺杂，可以产生极化结构到具有中心反演结构的结构相变，从而“软化”极化声子模。在临界电子浓度附近，伴随“软化”的极化声子模，电声子耦合强度增加，从而为产生常规
2021-04-25 16:19
