掺锑和掺磷硅单晶是两种不同的半导体材料，它们的物理特性受到掺杂剂类型的影响。
2024-04-09 09:41
本征态的半导体材料在制作固态器件时是无用的，因为它没有自由移动的电子或者空穴，所以不能导电。然而，通过一个叫做掺杂的过程，将特定的元素被引入本征半导体材料，这时候，新产生的材料就有了可以导电的性质
2023-11-13 09:36
微量掺杂元素在半导体器件的发展中起着至关重要的作用，可以精准调控半导体的电学、光学性能。对器件中微量掺杂元素的准确表征和分析是深入理解半导体器件特性、优化器件性能的关键步骤，然而由于微量掺杂元素含量极低，对它的检测和
2025-04-25 14:29
控制外延层的掺杂类型和浓度对 SiC 功率器件的性能至关重要，它直接决定了后续器件的比导通电阻，阻断电压等重要的电学参数。
2022-04-11 13:44
在上一篇文章中，我们了解了关于导体半导体以及绝缘体的相关知识，通过以半导体物理学这个新的思路来接触我的以及非常熟悉的知识。那么我们讨论的半导体，那么半导体的知识我们以及了解了。关于半导体的分类及如何进行半导体的掺杂，将是我们今天要研究的课题。
2022-01-03 09:06
本文介绍了多晶硅作为晶体管的栅极掺杂的原理和必要性。
2025-04-02 09:22
半导体改变电阻率的方式有三种，原位掺杂、扩散和离子注入，这三种方式分别过程如何，有何区别呢？
2024-01-05 18:21
Nanodcal软件通过虚晶近似（Virtual Crystal Approximation，VCA）的方法实现半导体的n型或者p型掺杂。为了确保Si在中心区域的长度大于耗尽层的宽度，选用一个较长的n型掺杂NiSi2-Si器件进行输运特性计算。
2022-09-07 16:38
在半导体硅片生产过程中，精确调控材料的电阻率是实现器件功能的关键，而原位掺杂、扩散和离子注入正是达成这一目标的核心技术手段。下面将从专业视角详细解析这三种技术的工艺过程与本质区别。
2025-07-02 10:17
