在 LTPS 制造过程中，使用自对准掩模通过离子注入来金属化有源层。当通过 TRCX 计算电容时，应用与实际工艺相同的原理。工程师可以根据真实的 3D 结构提取准确的电容，并分析有源层离子注入前后的电位分布，如下图所示。 (a)FIB (b) 掺杂前后对比
2025-01-08 08:46
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:57 编辑 为什么就不能在半导体中掺杂四价元素或六价元素？
2012-11-25 13:30
很久，对于轻度掺杂或者重度掺杂的半导体，无论是N型半导体或者P型半导体，其本质也是呈现电中性的，那为什么会有N或者P型半导体的说法，其中的空穴或者电子导电，与其对应的电子或者空穴却没有移动形成电流
2024-02-21 21:39
为了研制在电性能、安全性和成本价格等三方面均能较好地满足电动汽车需求的锂离子电池，选择了在氧化钴锂中掺杂氧化镍锰钴锂三元材料的方法，研制了新的50Ah动力型锂离子电池。通过对研制电池进行电性能
2011-03-04 14:30
求教各位大佬，我用LMH6703搭建了这样一个电路，但是输出信号始终掺杂着1V左右的直流信号，我想请教一下是什么原因导致的，明天附上PCB图
2024-08-14 06:17
纳米二氧化钛在锂电池正极材料中的应用一， 纳米二氧化钛掺杂后电化学性能均明显优于未掺杂样品的性能。这归于在LiCoO2表面掺杂电化学性能相对稳定的纳米二氧化钛（VK-T30D）后, 一方面降低
2014-05-12 13:48
是很有必要的。本文通过上，中，下三篇文章来进行以下研究：(1)应用简化的Fulop碰撞电离率模型对非穿通平行平面结耐压、峰值电场、导通电阻等与掺杂之间的关系进行计算。(2)对更为准确的Chynoweth
2019-10-30 13:22
通过仿真讨论电阻掺杂比例对、电流i、电压v关系的影响，怎么设置电阻的掺杂比例啊，小白一个，请求各位大神指教，给点资料也好。QQ787356113
2013-03-08 14:33
为什么n外延层中掺杂浓度低时漏区先击穿，掺杂浓度较高时却是源区先击穿呢？（N外延区均全耗尽）能详细讲一下这个过程吗，这里不太能理解，谢谢。
2021-09-11 18:48
如何将阻断高电压的低掺杂、高电阻率区域和导电通道的高掺杂、低电阻率分开解决。如除导通时低掺杂的高耐压外延层对导通电阻只能起增大作用外并无其他用途。这样，是否可以将导电通道以高掺
2018-11-01 15:01
