在 LTPS 制造过程中，使用自对准掩模通过离子注入来金属化有源层。当通过 TRCX 计算电容时，应用与实际工艺相同的原理。工程师可以根据真实的 3D 结构提取准确的电容，并分析有源层离子注入前后的电位分布，如下图所示。 (a)FIB (b) 掺杂前后对比
2025-01-08 08:46
掺锑和掺磷硅单晶是两种不同的半导体材料，它们的物理特性受到掺杂剂类型的影响。
2024-04-09 09:41
掺杂对PN结伏安特性的影响是半导体物理学中的一个重要议题。PN结作为半导体器件的基础结构，其性能在很大程度上取决于掺杂浓度、掺杂类型以及掺杂分布等因素。以下将详细探讨
2024-07-25 14:27
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:57 编辑 为什么就不能在半导体中掺杂四价元素或六价元素？
2012-11-25 13:30
本征态的半导体材料在制作固态器件时是无用的，因为它没有自由移动的电子或者空穴，所以不能导电。然而，通过一个叫做掺杂的过程，将特定的元素被引入本征半导体材料，这时候，新产生的材料就有了可以导电的性质
2023-11-13 09:36
通常，用射频电源产生高浓度等离子体电离掺杂气体，而用偏置电源加速离子去“轰击”圆片表面。最常用的 PLAD 掺杂气体为 B2H6，用于硼掺杂。对于需要非常高剂量的圆片摻杂的产品，由于离子注入机需要“点”式扫描注入，即
2022-11-01 10:14
很久，对于轻度掺杂或者重度掺杂的半导体，无论是N型半导体或者P型半导体，其本质也是呈现电中性的，那为什么会有N或者P型半导体的说法，其中的空穴或者电子导电，与其对应的电子或者空穴却没有移动形成电流
2024-02-21 21:39
掺杂定义：就是用人为的方法，将所需的杂质（如磷、硼等），以一定的方式掺入到半导体基片规定的区域内，并达到规定的数量和符合要求的分布，以达到改变材料电学性质、制作PN结、集成电路的电阻器、互联线的目的。
2022-03-30 10:17
热解法直接选用含N的聚合物与硅共混，高温热解后得到的包覆碳层通常会含N。Che等[1]采用六亚甲基四胺(HMT)作为N源，将纳米硅与HMT在溶液中共混后于1000°C煅烧制得N掺杂的硅/碳材料。
2022-07-04 11:05
