掩模版（Photomask）又称光罩、光掩模、光刻掩模版、掩膜版、掩膜板等，是光刻工艺中关键部件之一，是下游行业产品制造过程中的图形“底片”转移用的高精密工具
2023-12-25 11:41
光刻图形质量的主要判据是图形成像的对比度，移相掩模方法可使对比度得到改善，从而使得其分辨率比传统方法改善 40%~100%。移相掩模按不同的分类方法可分为多种类型，其基本原理均为相邻透光图形透过的光振幅相位相反而产生相消干涉，振幅零点和（或）频谱分布压窄，从而改善
2022-10-17 14:54
随着半导体行业持续突破设计尺寸不断缩小的极限，极紫外 （EUV） 光刻技术的运用逐渐扩展到大规模生产环境中。对于 7 纳米及更小的高级节点，EUV 光刻技术是一种能够简化图案形成工艺的支持技术。要在如此精细的尺寸下进行可靠制模，超净的掩模必不可少。
2019-07-03 15:32
硬烘培温度的上限以光刻胶流动点而定。光刻胶有像塑料的性质，当加热时会变软并可流动。当光刻胶流动时，图案尺寸便会改变。当在显微镜下观察光刻胶流动时，将会明显增厚光刻胶边缘。极度的流动会在沿图案边缘处显示出边缘线。边缘线是光刻胶流动后在光刻胶中留下的斜坡而形成的光学作用。
2020-02-29 09:09
p-i-n光电探测器封装中最具挑战性的任务之一是将光纤耦合到探测器。由于探测器和光纤的尺寸都非常小，精确和准确的对准非常关键。如今，在大多数情况下，这是通过耗时且成本高昂的主动对准技术来实现的，该技术涉及在二极管工作时单独调整每根光纤，以获得最大响应并进行固定。因此，需要开发无源自对准技术，其时间消耗更少、成本更低，并且同时可靠且合理有效。众所周知，半导体材料的微机械加工是精确的，具有极好的尺寸控制，它非常适合于实现精确的微结构，然后可以用于无源光纤自对准。因其晶面蚀刻速率不同而产生的单晶硅各向异性湿法化学蚀刻是一种成熟且受欢迎的技术。1该技术已用于制造各种高精度无源微结构，然后用于固定光纤和引导光线。然而，由于大多数光学器件是由直接带隙化合物半导体材料如InGaAs和InP制成的
2022-05-11 15:04
Maxim的TD-SCDMA手机射频芯片组由MAX2507（Tx）和MAX2392（Rx）组成。两款RF IC均采用Maxim内部高频工艺技术制造。MAX2507为完全集成的发送芯片，包括从模拟I/Q输入到功率放大器输出的电路。其主要功能模块包括 I/Q 正交调制器、上变频器、可变增益放大器 （VGA）、RF 压控振荡器 （VCO） 和锁相环 （PLL）、IF 本振生成器和 RF 功率放大器 （PA）。该器件采用 7mm x 7mm 焊盘栅格阵列 （LGA） 封装。
2023-03-08 10:33
无定形碳膜（Amorphous Carbon Film），即非晶碳膜，指的是一种由碳原子构成但没有长程有序结构的薄膜材料。
2024-03-22 15:38
采用曲线掩模的另一个挑战是需要将两个掩模缝合在一起以在晶圆上形成完整的图像。对于高数值孔径 EUV，半场掩模的拼接误差是一个主要问题。
2023-10-23 12:21
摘 要：以含有腔体结构的LTCC叠层生瓷为研究对象，介绍了腔体在层压形变的评价和控制方法。分析了LTCC空腔在层压时产生变形的主要影响因素。阐述了在生瓷表面上增加金属掩模板来控制腔体形变的叠层
2023-12-18 16:00
在早期，除法律和经济外，几乎没有保护措施来防止复制这些设备。例如，ROM是用低成本的掩模技术制造的，可用EPROM轻易复制，但后者通常要贵3-10倍或更多。或定制掩模ROM，那就需要很长的时间和很大的投资。
2018-03-15 13:44
