本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法：基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程，并详细阐述了其
2011-03-15 15:19
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的开关过程是其作为电力电子器件核心功能的重要组成部分，直接决定了电力变换系统的效率、稳定性和可靠性。以下是对IGBT开关过程的详细分析，包括开启过
2024-07-26 17:31
PWM开关电源按硬开关模式工作(开/关过程中电压下降/上升和电流上升/下降波形有交叠)，因而
2021-10-22 15:21
IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态
2023-03-15 09:23
IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态
2023-01-10 09:05
的过程，然后从漏极导通特性、也就是放大特性曲线，来理解其开通关断的过程，以及MOSFET在开关过程中所处的状态。1、MOSFET栅极电荷特性与
2016-11-29 14:36
PWM开关电源按硬开关模式工作(开/关过程中电压下降/上升和电流上升/下降波形有交叠)，因而
2021-10-29 08:20
本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程；然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法：基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程，并详细阐述了其
2011-09-14 17:39
本文就MOSFET的开关过程进行相关介绍与分析，帮助理解学习工作过程中的相关内容。首先简单介绍常规的基于栅极电荷的特性，理解MOSFET的开通和关断的过程，然后从漏极导通特性、也就是放大特性曲线，来理解其开通关断的
2023-12-04 16:00
重讲述二极管的开关过程（也叫二极管的动态特性）及其带来的影响。任何开关器件的状态切换并不是一蹴而就的，在这切换的期间发生了什么是工程师值得注意的地方。因为结电容的存在，
2020-10-29 10:24
