控制外延层的掺杂类型和浓度对 SiC 功率器件的性能至关重要，它直接决定了后续器件的比导通电阻，阻断电压等重要的电学参数。
2022-04-11 13:44
外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延
2023-05-31 09:27
只有体单晶材料难以满足日益发展的各种半导体器件制作的需要。因此，1959年末开发了薄层单晶材料生长技外延生长。那外延技术到底对材料的进步有了什么具体的帮助呢？
2024-02-23 11:43
碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材
2023-08-15 14:43
引言 在半导体材料领域，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化学特性，如高硬度、高热导率、高击穿电场强度等，成为制造高功率、高频电子器件的理想材料。然而，在大尺寸SiC外延生长过程中，衬底应力问题一直是
2025-02-08 09:45 广州万智光学技术有限公司 企业号
金刚石异质外延已发展 30 年有余,而基于 Ir 衬底的大面积、高质量的异质外延单晶金刚石已取得较大进展。本文主要从关于异质外延单晶金刚石及其电子器件两个方面对异质
2023-07-12 15:22
SiC外延生长技术是SiC功率器件制备的核心技术之一，外延质量直接影响SiC器件的性能。目前应用较多的SiC
2024-11-14 14:46
碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现，高质量的碳化硅同
2023-12-15 09:45
作为半导体单晶材料制成的晶圆片，它既可以直接进入晶圆制造流程，用于生产半导体器件；也可通过外延工艺加工，产出外延片。
2024-04-24 12:26
