VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美国IR 公司推出VDMOS 结构，将器件耐压、导通电阻和电流处理能力提高到一个新水平。
2009-12-21 10:52
控制外延层的掺杂类型和浓度对 SiC 功率器件的性能至关重要，它直接决定了后续器件的比导通电阻，阻断电压等重要的电学参数。
2022-04-11 13:44
采用PowerFill外延硅工艺的电源器件 ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）沟槽填充工艺。新工艺可使带有掺杂物的外延
2010-01-25 09:17
一、功率器件工程师招聘条件 1、具有良好的品行，能吃苦耐劳，身体健康； 2、热爱科研事业，专业基础扎实，学风严谨，有较高的学术造诣； 3、具有高度的敬业精神和拼搏奉献精神，较强的团结协作意识和良好
2017-06-07 10:04
半导体器件为什么要有衬底及外延层之分呢？外延层的存在有何意义？ 半导体器件往往由衬底和外延层组成，这两个部分在制造过程中
2023-11-22 17:21
氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的
2023-09-19 14:50
外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延
2023-05-31 09:27
2023年11月10日，温州芯生代科技有限公司在2023世界青年科学家峰会上隆重发布了面向高电压大电流HEMT功率器件应用的850V Cynthus®系列硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延产品。行业客户、知名投资机
2023-11-14 10:32
只有体单晶材料难以满足日益发展的各种半导体器件制作的需要。因此，1959年末开发了薄层单晶材料生长技外延生长。那外延技术到底对材料的进步有了什么具体的帮助呢？
2024-02-23 11:43
碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材
2023-08-15 14:43
