的研究重点之一。体硅CMOS SRAM不作电路设计加固则难以达到较好抗单粒子能力,作电路设计加固则要在芯片面积和功耗方面做出很大牺牲。为了研究绝缘体上硅(SOI)基SR
2010-04-22 11:45
的影响，甚至使其失效。针对各种辐射效应，在器件的材料、电路设计、结构设计、工艺制造及封装等各个环节采取加固措施，使其具有一定的抗辐射性能。选择
2019-07-02 07:10
CMOS模拟电路设计教材本书共11章大小：22M微电子学系列1.半导体器件-物理与工艺2.表面安装技术手册3.多晶硅发射极晶体管及其集成电路4.超大规模集成电路设计基础
2009-11-19 17:04
对CMOS SRAM抗单粒子翻转性能的影响及原因。研究表明:随着特征尺寸的减小,SRAM单元单粒子翻转的临界电荷减小,电荷收集效率由于寄生双极晶体管效应而增加,造成LETth随特征尺寸缩小而迅速减小,CMOS
2010-04-22 11:50
辐射封装加固存储器LS28C256R。设计专用试验测试电路板和测试软件,以进行存储器器件加电工作条件下电子加速器辐照试验的动态测试。辐照对比试验结果表明,加固存储器LS28C256R的抗电子源辐照能力
2010-04-22 11:44
请问一下，有没有抗辐射的瓷片电容？？或者在辐射环境下相对而言比较能够抗辐射的，，，，，我们现在正准备做一种能够在
2015-02-02 09:35
本帖最后由 逸興遄飛 于 2016-4-15 14:08 编辑 辐射抗扰：10V 有点不明白
2016-04-15 09:24
模拟CMOS集成电路设计
2019-03-13 15:34
CMOS模拟集成电路设计，一共5个部分
2016-05-15 09:30
1.ISO 11452-2以及IEC 61000-4-3，为什么辐射抗扰度测试都是从80MHz开始。2.根据个人的辐射抗扰度测试经验，发现产品在80MHz~100MHz
2019-06-09 16:55
