N沟道MOSFET管子接在电路中，好多芯片并联在一块，在不拆下的情况如何测量其好坏？
2024-09-20 06:39
手机射频特性测量解决方案包括辐射功率和接收机特性的测量，本文介绍了测试原理和测试系统的组成以及测试过程，同时介绍了在GSM、CDMA等测量中的应用。 在现代网络中，好的
2019-05-31 07:09
绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。找元器件现货上唯样商城在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般
2022-09-20 08:00
状况。和硅双极型晶体管或GaAs MOSFET相比较，硅基LDMOSFET有失真小、线性度好、成本低的优点，成为目前RF 功率 MOSFET的主流技术。手机基站中功率放大器的输出功率范围从5W到超过250W
2019-07-08 08:28
上内置AD模块可实现对模拟量的测量，可以实现波形的测量，与手机端必要软件结合可以实现一定频率范围内的简单波形的测量。时间安排2013.12.1-2013.12.4完善方
2013-11-16 22:01
。从表中看到区别了吗？5个不同的产品，测试条件ID的值，有的用250uA，有的用1mA，有的甚至有用10mA。那么，为什么会采用不同的测试条件？测量BVDSS就是功率MOSFET的D、S加电压时，从
2023-02-20 17:21
随着全球蜂窝通信网络运营商逐步采用LTE，满足所有LTE要求的需求也在增长，其中包括衰落特性。第三代合作伙伴计划(3GPP) 在其TS 36.521-1标准中规定了衰落的技术规格，用以测量LTE手机的衰落特性。
2019-08-09 06:16
电路设计如图；问题：MOSFET测量栅极有开启电压+3.6V，漏极电压+12V，但是源极电压测量为+1V;分析：有可能是MOSFET坏了，除了这个可能性，不清楚是不是设
2019-09-11 14:32
MOSFET数据表一般根据优先级显示单次电压测量时的输出电容。虽然这些参数值已足以与过去的产品进行比较，但要在当今的组件中使用这些值，就有些不合适了。因此目前需要性能更好的产品电容。MOSFET
2014-10-08 12:00
。・MOSFET的漏极电压和电流及输出整流二极管的耐压・变压器的饱和・Vcc电压・输出瞬态响应和输出电压上升波形・温度测量和损耗测量・电解电容器 首先，说明通常规格的评估，并说明检查要点的区别。下表作为
2018-11-27 16:50
