随着科学技术的进步,手机芯片在制造过程中趋向科技化,其中激光加工技术已经成为手机芯片制造过程中不可缺少的一部分。当然激光打标机分成很多种,光纤激光打标机适合在
2023-08-17 15:40 东莞市维品科技有限公司 企业号
1550nm半导体光放大器SOA芯片见合八方1550nm波长的半导体光放大器(SOA)芯片是一款高增益、高功率、低偏振损耗、高消光比的全
2022-05-23 21:44 天津见合八方光电科技有限公司 企业号
### 产品简介B11NM60-VB 是一款高效单级N沟道 MOSFET,封装形式为 TO263。采用 Trench 技术,具备低导通电阻和大电流处理能力,特别适用于高电压开关和功率控制
2025-01-07 11:06 微碧半导体VBsemi 企业号
### 7NM64N-VB TO252 MOSFET 产品简介7NM64N-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术制造,适用于中高压应用场合。其封装
2024-11-21 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号
### 11NM65N-VB TO252 产品简介**产品概述**:11NM65N-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有低导通电阻和高电压承受能力
2024-07-05 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 11NM65N-VB TO220F 产品简介11NM65N-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装技术。该器件具有 650V 的漏源电压
2024-07-05 15:10 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:11NM60ND-VB TO252**VBsemi的11NM60ND-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,采用先进的SJ_Multi-EPI技术设计,具有低导通电阻和高
2024-07-05 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:11NM50N-VB TO252是一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS,±V)、3.5V的阈值电压(Vth)、370m
2024-07-05 15:04 微碧半导体VBsemi 企业号
### 7NM60N-VB MOSFET 产品简介7NM60N-VB是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO252封装,适用于需要高电压和低功耗的电子设备应用。该器件具有高漏极电压、低导通电阻和优异
2024-11-21 14:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、7NM60N-VB 产品简介7NM60N-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装。它设计用于高压应用环境,具有稳定的电气特性和可靠性
2024-11-21 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号