电子发烧友

型号：FSD-F30V-L110 品牌：

随着科学技术的进步，手机芯片在制造过程中趋向科技化，其中激光加工技术已经成为手机芯片制造过程中不可缺少的一部分。当然激光打标机分成很多种，光纤激光打标机适合在

2023-08-17 15:40 东莞市维品科技有限公司 企业号

型号：BCM56771A0KFSBG 品牌：

BCM56771A0KFSBG性能密度：单芯片 12.8Tbps + 32×400G 端口，降低设备数量与 TCO。技术前瞻：PAM4 调制 + 7nm 工艺，平滑演进至 800G 时代。能效比

2025-09-09 10:41 立年电子科技 企业号

型号：STF<b class='flag-s-7'>11NM</b>60ND-VB 品牌：微碧

### STF11NM60ND-VB 产品简介STF11NM60ND-VB 是一款高效单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装，专为高电压功率转换和开关控制应用设计。该器件具有 650V

2025-09-18 10:51 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：1550<b class='flag-s-7'>nm</b>-SOA-chip 品牌：

 1550nm半导体光放大器SOA芯片见合八方1550nm波长的半导体光放大器（SOA）芯片是一款高增益、高功率、低偏振损耗、高消光比的全

2022-05-23 21:44 天津见合八方光电科技有限公司 企业号

型号：B<b class='flag-s-7'>11NM</b>60-VB 品牌：微碧

### 产品简介B11NM60-VB 是一款高效单级N沟道 MOSFET，封装形式为 TO263。采用 Trench 技术，具备低导通电阻和大电流处理能力，特别适用于高电压开关和功率控制

2025-01-07 11:06 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：STP<b class='flag-s-7'>7NM</b>60N-VB 品牌：微碧

的导通电阻（RDS(ON) = 830mΩ@VGS=10V），使其能够在高电压和大电流的工作环境中高效运行。STP7NM60N-VB 使用 Plannar 技术制造

2025-09-18 16:08 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>7NM</b>64N-VB 品牌：微碧

### 7NM64N-VB TO252 MOSFET 产品简介7NM64N-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 SJ_Multi-EPI 技术制造，适用于中高压应用场合。其封装

2024-11-21 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11NM</b>65N-VB TO252 品牌：微碧

### 11NM65N-VB TO252 产品简介**产品概述**：11NM65N-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造，具有低导通电阻和高电压承受能力

2024-07-05 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11NM</b>60ND-VB TO252 品牌：微碧

### 产品简介**型号：11NM60ND-VB TO252**VBsemi的11NM60ND-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，采用先进的SJ_Multi-EPI技术设计，具有低导通电阻和高

2024-07-05 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11NM</b>65N-VB TO220F 品牌：微碧

### 11NM65N-VB TO220F 产品简介11NM65N-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装技术。该器件具有 650V 的漏源电压

2024-07-05 15:10 微碧半导体VBsemi 企业号