非常想知道国产的芯片在性能和质量上与国外的同款相比如何？
2024-05-26 20:14
超越进口变频器产品，国内变频器企业正不断缩小与国外企业的技术差距，通过技术攻关和质量控制，在保证质量的基础上，确立了国产变频器产品的本土化应用竞争优势，填补了变频器产品的应用空白。我国变频器加速向高端化
2014-04-18 15:37
LED芯片，LED芯片的核心指标包括亮度、波长、失效率、抗静电能力、衰减等。目前国内LED封装企业的中小尺寸芯片多数选用国产品牌，这些国产品牌的芯片性能与国外品牌差距较小，具有良好的性价比，亦能满足
2015-09-09 11:01
我国驱动电机及其控制器的发展现状如何？我国驱动电机及其控制器存在的主要问题是什么？
2021-05-13 06:27
和重要性是不言而喻的。而我国电源产品的质量，不论是军用还是民用的，都与国外同类产品存在着明显的差距。因此，采用国际先进标准，学习国外先进技术，尽快使
2019-07-24 06:06
超外差接收机的工作原理是什么？
2021-06-22 06:47
翁寿松(无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特尔将投资90亿美元在以下4座45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU：(1)美国俄勒冈州Fab PID厂，2007年下半年量产；(2)美国亚利桑那州Fab 32厂，投资30亿美元，2007年末量产；(3)以色列Fab 28厂，投资35亿美元，2008年上半年量产；(4)美国新墨西哥州RioRancho Fab 11X厂，投资10～15亿美元，从90 nm过渡至45 nm，它是英特尔产首座300 mm晶圆厂，也是英特尔首座全自动化300 mm晶圆高量产厂。45 nm芯片的即将量产意味着32 nm/22 nm工艺将提到议事日程上，英特尔将于2009年推出32nmMPU，2011年推出22 nm MPU。IBM与特许将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存，3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。
2019-07-01 07:22
、工控类MCU、传感器为主，而在其它大类的工业芯片方面，如高性能的模拟产品、ADC、CPU、FPGA、工业存储等，我国企业与国际大厂还有较大差距。光电子器材方面长期以来主要靠仿制、靠低劳动力成本
2025-07-03 09:54
等方面与国外都有较大差距。 同时还有不少物联网厂家，本身既无传感器芯片设计能力，也没有传感器封装设计能力，甚至缺乏对传感器本身的可靠性测试能力，仅仅只是做系统集成，仅仅靠关系打通客户，这种情况大多
2020-12-29 10:34
本人某985电子学院研一学生，我们导师在我刚来的时候就把一个课题给我去做，前期的材料与薄膜学长学姐们已经完成了，让我解决后期的光刻与器件制备等问题。本来我觉得是一个很好的锻炼自己的机会，就直接答应了
2018-02-27 15:47
