翁寿松(无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特尔将投资90亿美元在以下4座45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU：(1)美国俄勒冈州Fab PID厂，2007年下半年量产；(2)美国亚利桑那州Fab 32厂，投资30亿美元，2007年末量产；(3)以色列Fab 28厂，投资35亿美元，2008年上半年量产；(4)美国新墨西哥州RioRancho Fab 11X厂，投资10～15亿美元，从90 nm过渡至45 nm，它是英特尔产首座300 mm晶圆厂，也是英特尔首座全自动化300 mm晶圆高量产厂。45 nm芯片的即将量产意味着32 nm/22 nm工艺将提到议事日程上，英特尔将于2009年推出32nmMPU，2011年推出22 nm MPU。IBM与特许将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存，3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。
2019-07-01 07:22
在ucosii中，如果在最高优先级的任务中使用delay_us进行延迟，并且delay_us中没有上锁，那么延迟会被打断么？
2019-08-29 22:56
太阳能电池薄膜激光刻蚀机配了台特域冷水机，用的是什么制冷机？
2017-11-25 14:30
本人某985电子学院研一学生，我们导师在我刚来的时候就把一个课题给我去做，前期的材料与薄膜学长学姐们已经完成了，让我解决后期的光刻与器件制备等问题。本来我觉得是一个很好的锻炼自己的机会，就直接答应了
2018-02-27 15:47
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后，受到光照的
2019-11-07 09:00
上位机与下位机通讯时，有延迟现象，但是我们要求延迟时间不超过20毫秒，通讯断断续续的，能否解决，急！！！
2013-03-08 22:00
喷胶机是现代光电子产业中光刻胶涂布的重要设备。可对不同尺寸和形状的基片进行涂胶，最大涂胶尺寸达8寸，得到厚度均匀的光刻胶层，同时可对大深宽比结构的侧壁进行均匀涂胶；通过计算机系统控制器进行工艺参数的编辑和操作。
2020-03-23 09:00
光刻掩膜设计与加工制造服务，请问可以加工二元光学器件吗？相位型光栅那种.
2024-04-22 06:24
我们已经在我们的 IMXRT1172 定制板中测试了 RTC，我们观察到一些与实际时间相关的延迟。以下是测试用例。在设置/不设置日期和时间的情况下观察到
2023-05-05 13:35
你好，在我们的项目中，我们使用自己开发的内核使用一些数据通道。FIFO通过AUX寄存器被禁用（CLR位被设置）以最小化延迟。F0/F1的内容是否会被上升信号ONF0/F
2019-08-19 13:47
