本帖最后由 azsxdcfv1871514 于 2013-1-6 14:55 编辑 大家好！我想给我的一个预驱芯片TD340供电12V，输入电流要求最大10mA，输入电压是48V，我用电阻分压的话怎么计算电阻值
2011-04-12 10:56
的参数，决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。6、VGS(th)：开启电压（阀值电压）。当外加栅极控制电压VGS
2016-05-23 11:40
串口连接采用官方手册推荐的电阻分压方法。1.单片机每秒发送一次AT指令2.示波器检查RX和TX端信号，MC20输出是2.8V，STM32是3.3V3.发现每秒钟单片机TX线发送信号逻辑正常，但是RX
2021-08-06 08:18
概述当单片机受到外界的干扰，程序会跑飞，那么如何证明程序的状态是正常的呢？法1：在中断中加入LED闪烁，当看到灯以设定的频率闪烁则可以证明单片机是正常运行的。法2：窗口看门狗。窗口看门狗（WWDG
2021-07-30 08:14
的MOSFET从跨导的定义来说，由于ID不再增加，因此被定义为饱和区，但为什么又叫做放大区呢？问题分析：（1）可变电阻区表明MOSFET在一定的VGS电压下沟道已经完全导通，此时
2016-12-21 11:39
PRD1139是一款30至60V输入隔离反激式转换器，基于带有级联MOSFET的ADP1613升压稳压器IC。它使用初级侧调节来避免反馈光耦合器的功耗
2019-07-17 08:56
如果您有一个分压器，其中每个电阻器支持 5 ppm/°C 的漂移，那么最差情况的漂移是多少？这是我最近研究低漂移电流传感参考设计 (TIPD156) 时向我同事提出的一个既定观点的问题（当然，是在我
2022-11-22 07:17
MOSFET和开关频率不太高的中压功率MOSFET。如果需要低的导通电阻，只有增大的晶片面积，晶片的面积受到封装尺寸的限制，因此不适合于一些高功率密度的应用。平面型高压
2016-10-10 10:58
限压元件类有压敏电阻、TVS管（瞬态抑制二极管）等。它们和稳压二极管一样都具有限压特性。当外加电压小于其导通电压时，它具有很大的内阻，漏电流很小；当外加电压大于其导通电压时，其内阻急剧减小，可以流过
2018-01-11 14:16
最近在学习智能车，准备用TPS7333将5伏电压转换成3.3伏电压。但是发现5.03伏的输入电压只能转换成4.06伏的电压。下面是芯片手册。原来以为是芯片的问题，已经换过3个芯片，还是4.05伏左右的电压。所以是需要在输出端串联一个电阻分压吗？...
2021-07-30 08:12
