的矛盾。 即便如此，高压MOSFET在额定结温下的导通电阻产生的导通压降仍居高不下，耐压500V以上的MOSFET 的额定结温、额定电流条件下的导通电压很高，耐压80
2023-02-27 11:52
我看一个MOSFET驱动电路的设计与仿真PPT里面说，Vg中存在负电压，一定程度上加长了驱动延迟时间，要消除负压，然后又看了一个技术手册，专门介绍了一种负压驱动电路。如下图所示，所示可以负
2019-01-23 15:57
电路中，电阻是电导体的特性，通过它，它抵抗电流并将电能从电路中消散。使用数据记录仪测量电阻，本实验的目的是证明用于计算串联和并联电阻的公式，并引入电子流通过电路不同路径
2017-06-21 09:48
最近在调试PFC，上电瞬间，TT PFC的高频下半桥就短路了，烧了好几只管子，后面发现是Mosfet的驱动电阻没有贴上，请问这个对Mos的影响有多大？多大的电压、电流会使得开关管失效？
2021-04-07 21:02
大家好，问个在网上经常碰到的问题，但我想再问得深入些。 关于MOSFET，就说NMOS管吧，平时说到栅极，大家都习惯性的串接一个栅极电阻大小从10欧--100欧不等。 而且有人说为了提高开通速度甚至
2013-02-08 15:28
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻
2018-11-30 11:34
的MOSFET从跨导的定义来说，由于ID不再增加，因此被定义为饱和区，但为什么又叫做放大区呢？问题分析：（1）可变电阻区表明MOSFET在一定的VGS电压下沟道已经完全导通，此时
2016-12-21 11:39
本帖最后由 azsxdcfv1871514 于 2013-1-6 14:55 编辑 大家好！我想给我的一个预驱芯片TD340供电12V，输入电流要求最大10mA，输入电压是48V，我用电阻分压的话怎么计算电阻值
2011-04-12 10:56
几乎不发生改变，认为沟道是一个固定阻值的电阻区，则MOSFET的端电压和流经的电流之间呈线性关系。随着器件流经的电流增加，器件压降增加，沟道形状开始发生改变，且可看成是随压
2024-06-13 10:07
Mulitisim中有电压控制电压源。那哪里有压控电阻、压控电感这些？在哪里找到，请大家帮下
2016-01-21 22:07
