（Gate）和衬底（Substrate）。在讨论MOSFET的工作原理时，源极和漏极的电流是关键参数之一。 在理想情况下，MOS
2024-09-18 09:58
分立MOSFET数据手册中最突出的规格之一是漏极 - 源极导通电阻，缩写为R DS （on）。这个R DS （on）的想法看起来非常简单：当FET截止时，源极和
2021-05-15 09:49
漏极外接二极管（Drain-Source Diode，简称D-S二极管）在MOSFET电路中起到了重要的作用，本文将介绍MOSFET源极和
2024-01-31 13:39
在N沟道MOSFET中，源极为P型区域，而在P沟道MOSFET中，源极为N型区域。在MOSFET的工作中，
2023-02-21 17:52
【科普小贴士】MOSFET的性能：漏极电流和功耗
2023-12-07 17:23
mos管源极和漏极的区别 MOSFET，金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种晶体管，其目的是通过改变其栅极和源极端子之间的电势差来控制电子电路内的
2023-08-25 14:49
源极和漏极的区别 源极和漏极是晶体管中的两个重要极，它们在晶体管的工作过程中起着关键作用。源极与
2023-12-07 15:48
什么叫CMOS电流源（漏）反相器？它有什么优点？ CMOS电流源反相器是一种常见的电路设计，它是由一个CMOS
2023-09-12 10:57
源漏扩展结构（Source/Drain Extension,SDE）在控制 MOS 器件的短沟道效应中起到重要作用。SDE（源漏扩展结构）引入了一个浅的
2025-05-27 12:01
是两个重要的参数，它们对电流的影响非常显著。 首先，我们来讨论MOSFET栅极电路电压对电流的影响。在MOSFET中，栅极电路的电压控制着
2023-10-22 15:18
