（Gate）和衬底（Substrate）。在讨论MOSFET的工作原理时，源极和漏极的电流是关键参数之一。 在理想情况下，MOS
2024-09-18 09:58
源漏扩展结构（Source/Drain Extension,SDE）在控制 MOS 器件的短沟道效应中起到重要作用。SDE（源漏扩展结构）引入了一个浅的
2025-05-27 12:01
源型与漏型是PNP与NPN放大电路的电流流向的一种形象化表述，最初是由日系PLC引入这样的简称，在日系语系用中文字表达的一种方式，在原来的中国学校教育中并不怎么使用“源
2018-08-08 17:37
在各类电路图中，我们经常可以看到MOSFET在作开关时，其漏极和源极之间有一个寄生二极管，如图1所示。那么这个二极管是用来做什么的？
2023-11-14 16:04
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）的连续漏极电流是指在MOS管连续工作状态下，从漏极流向
2024-09-18 09:56
与亚微米工艺类似，源漏离子注入工艺是指形成器件的源漏有源区重掺杂的工艺，降低器件有源区的串联电阻，提高器件的速度。同时源
2024-11-09 10:04
市面的PLC品牌众多，既有西门子、三菱等在市场占有率居高不下的大品牌PLC，也有两百多种小众型PLC。但是不管哪种PLC，它们的数字量输入模块有两种不同的接线方式：源型输入方式和漏型输入方式。今天这篇文章，我们来谈谈什么是源
2019-07-20 11:18
市面的PLC品牌众多，既有西门子、三菱等在市场占有率居高不下的大品牌PLC，也有两百多种小众型PLC。但是不管哪种PLC，它们的数字量输入模块有两种不同的接线方式：源型输入方式和漏型输入方式。今天这篇文章，我们来谈谈什么是源
2023-07-24 16:04
）电流产生的功耗。 从上述公式推导得出，三部分功耗中只有一个与MOSFET栅极电容充电和放电有关。 这部分功耗通常是最高的，特别在很低的开关频率时。为了计算公式 1 的值，需要知道
2024-10-29 10:45
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它利用电场来控制电流的流动。在MOSFET中，漏极电压（Vd）是指
2024-09-18 09:52
