工程师习惯性的认为：如果VGS尖峰电压大于功率MOSFET的阈值电压VTH，下管就会导通，那么上、下管就会产生直通，也就是所谓的Shoot Through，从而导致开关管的损坏。VTH，功率MOSFET
2016-11-08 17:14
，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工
2011-08-17 14:18
本帖最后由 松山归人 于 2021-4-27 10:12 编辑 详情见附件作为一名电力电子硬件工程师，我们在做测试时，经常会遇到一些比较“奇怪”的波形。说奇怪主要是因为这些波形要么非常难看
2021-04-26 21:33
逆变电源工程师设计之首选。正是因为看似简单的一个拓扑，确让很多设计师望而却步，因为推挽有一个最头疼的问题，电压尖峰。通常推挽拓扑中功率管选用都是MOSFET，而MOSFET失效最多原因往往不是电流而...
2021-11-16 07:30
2019-03-14 09:53
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的相关章节专门的讨论。 图1：BVDSS测试电路功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层
2016-09-06 15:41
版）实用电力电子技术丛书《MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用》MOS管驱动电路总结电源中的MOSFET性能的四项关键测试PFC中开关mosfet驱动电路的设计与讲
2019-04-19 17:45
MOSFET教程
2020-05-24 09:22
电机驱动设计中MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计相关文章资料，大家可以看看，对大家很有帮助！
2021-03-29 16:18
电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOSFET能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰
2013-03-11 10:49
