碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32
在电子工程领域中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）因其高集成度、低功耗等特性而被广泛应用于各种电子设备中。然而，MOSFET在开关过程中可能会产生尖峰电压，这不仅会影响电路的稳定性，还可
2024-05-30 15:49
开关MOSFET中产生振铃和电压尖峰的现象是电力电子转换过程中常见的问题，尤其是在高频开关应用中更是如此。这接下来，我们将详细探讨这些现象的起因。 振铃的成因 寄生电感：在MOSFET的漏极、源极
2024-06-09 11:29
在电力电子领域，碳化硅（SiC）MOSFET因其高效率、高频率和高温性能而备受青睐。然而，即使性能卓越，SiC MOSFET在开关过程中也可能面临电压尖峰的问题。本文将从专业硬件工程师的角度，探讨
2024-08-15 17:17
高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能让系统效率显著提升，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而在驱动电压上产生更大的尖峰。
2023-12-20 09:20
高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能显著提升系统效率，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而让驱动电压产生更大的尖峰。
2023-12-18 09:18
工程师习惯性的认为：如果VGS尖峰电压大于功率MOSFET的阈值电压VTH，下管就会导通，那么上、下管就会产生直通，也就是所谓的Shoot Through，从而导致开关管的损坏。VTH，功率MOSFET
2016-11-08 17:14
TPHR7404PU 做电源设计的工程师朋友都知道，MOSFET由于其快速开关，导通电压低等特性，在电源设计中应用的非常广泛。但是使用MOSFET时易出现的尖峰电压会增加EMI（电磁干扰
2021-11-26 15:08
凌力尔特的浪涌抑制器产品通过采用 MOSFET 以隔离高电压输入浪涌和尖峰。
2018-06-28 10:15
需要采购MOSFET 测试设备， 满足手工测试MOSFET的电参数（IDSS/IGSS/VTH/RDSON/VDSS/VGSS等等），ID电流最大100A，VDS电压高
2021-05-06 09:57
