在电子电路设计中，MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种常用的功率器件，具有高速开关、低导通电阻、低驱动功耗等优点。然而，如果MOSFET超过其耐压值，可能会导致器件损坏或性能下降
2024-08-01 09:26
上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结
2023-02-10 09:41
AW2K21是一款同时实现了超小型封装和超低导通电阻的30V耐压Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET电路源极的共源电路，不仅能以一体化封装实现双向电路保护，还可以通过改变引脚连接来作为单
2025-04-17 14:55
怎么提高SIC MOSFET的动态响应？ 提高SIC MOSFET的动态响应是一个复杂的问题，涉及到多个方面的考虑和优化。在本文中，我们将详细讨论如何
2023-12-21 11:15
日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)开发出耐压40V的功率MOSFET ，最适合用于以工业设备和车载领域为中心的、输入电压24V的DC/DC转换器。
2012-08-08 09:18
MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少
2023-04-18 09:22
瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压
2012-06-26 11:01
商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V，而SiC拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低MOSFET的通态电阻，使其耐压可以
2025-03-12 15:53
ROHM推出内置耐压高达80V的MOSFET的DC/DC转换器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐压是内置功率晶体管的非隔离型DC/DC转换器IC的业界最高水平，在ROHM的DC/DC转换器产品阵容中也是最高
2023-02-13 09:30
ROHM最近推出的“BD9G341AEFJ”，是内置80V高耐压MOSFET的DC/DC转换器IC。80V的耐压是非隔离型DC/DC转换器IC的业界顶级水平，在ROHM的目前产品阵容中，也是
2023-02-17 12:06
