上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结
2018-12-03 14:27
` 本帖最后由 gk320830 于 2015-3-8 18:44 编辑 串电阻一般是不能提高耐压！！！！每种电阻都有自己的耐压等级，有耐压要求时，最好选插角的，
2012-11-06 21:09
ROHM推出内置耐压高达80V的MOSFET的DC/DC转换器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐压是内置功率晶体管的非隔离型DC/DC转换器IC的业界最高水平，在ROHM的DC/DC转换器
2018-12-04 10:10
ROHM推出内置耐压高达80V的MOSFET的DC/DC转换器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐压是内置功率晶体管的非隔离型DC/DC转换器IC的业界最高水平，在ROHM的DC/DC
2018-10-19 16:47
MOSFET和超级结MOSFET。简而言之，就是在功率晶体管的范围，为超越平面结构的极限而开发的就是超级结结构。如下图所示，平面结构是平面性地构成晶体管。这种结构当耐压提高
2018-11-28 14:28
好像坏了），针对这种情况您有什么建议么，谢谢。 另外，我想问下，LTC3588所称的耐压是20 V,是电路中的哪种元件耐压范围？有什么办法可以提高这个电子元件的耐压范围
2024-01-03 07:04
功能，提高设备的可靠性4．通过小型封装和减少外置元器件，谋求进一步节省空间以及设计的简化－通过内置MOSFET来实现80V耐压，还是很不容易的吧？前面已经稍作介绍，80V的高耐
2018-12-05 10:00
MOSFET管的耐压在150左右，电流在80A左右，MOSFET管怎么选择？什么型号的MOSFET管子合适。主要用在逆变器上面的。谢谢？？
2016-12-24 14:26
MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少
2019-09-25 07:00
]Nch1700V3.7A35W1.15Ω(Typ.)14nC(Typ.)4A44W57W0.75Ω(Typ.)17nC(Typ.)☆：开发中SCT2H12NZ:1700V高耐压SiC-MOSFET 重点必看与SiC用AC/DC转换器控制IC组合，效率显著
2018-12-05 10:01
