CMOS工艺锂电池保护电路图的实现
2012-08-06 11:06
摘要: 本文设计了一种CMOS工艺下的欠压保护电路，首先分析了电路的工作原理，而后给出了各MOS管的参数计算，并给出pspice仿真的结果。此电路结构简单，工艺实现容易，可用于高压和功率集成电路
2018-08-27 15:54
CMOS数字隔离器是怎么为智能电表提供数据保护的？
2021-04-15 06:58
1 ． GMOS 集成电路输入端的要求 CMOS 集成电路具有很高的输入阻抗，其内部输入端接有二极管保护电路，以防范外界干扰、冲击和静电击穿。 CMOS 集成电路的输入端悬空时输入阻抗高，易受外界
2018-12-13 09:47
ESD(静电放电)是CMOS电路中最为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD
2021-04-02 06:35
AP2139超低静态电流CMOS Ldo的典型应用。 AP2138 / 2139系列是基于CMOS的正电压稳压器IC。这些IC中的每一个都包括一个电压基准，一个误差放大器，一个用于设置输出电压的电阻网络和一个用于电流保护
2020-07-31 09:58
AP2138超低静态电流CMOS Ldo的典型应用。 AP2138 / 2139系列是基于CMOS的正电压稳压器IC。这些IC中的每一个都包括一个电压基准，一个误差放大器，一个用于设置输出电压的电阻网络和一个用于电流保护
2020-07-31 09:56
随着CMOS集成电路产业的高速发展，越来越多的CMOS芯片应用在各种电子产品中，但在电子产品系统的设计过程中，随着CMOS工艺尺寸越求越小，单位面积上集成的晶体管越来越多，极大地降低了芯片的成本
2019-08-07 06:24
，输出电压低于VSS+0.5V（VSS为数字地）为逻辑 0。CMOS电路输出高电平约为 0.9Vcc，而输出低电平约为 0.1Vcc.当输入电压高于VDD-1.5V时为逻辑 1，输入电压
2019-03-22 07:00
电压带来的危害可能击穿栅极与衬底之间起绝缘作用的氧化物(或氮化物)薄层。这项危害在正常工作的电路中是很小的，因为栅极受片内齐纳二极管保护，它可使电荷损耗至安全水平。然而，在插入插座时，CMOS器件
2018-04-04 17:01
