深圳市港禾科技有限公司所上传的产品图片均为实物拍摄。4MG4Y2YY-PG-IPC 由于电子元器件价格因市场浮动,网站展示价格仅为参考价,不能作为最后成交价格,具体价格请与
2022-11-21 14:30 深圳市港禾科技有限公司 企业号
### 4969NG-VB MOSFET 产品简介4969NG-VB 是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用Trench技术,封装为TO252。该MOSFET具有低导
2024-11-12 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5805NG-VB 产品简介5805NG-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,具有低导通电阻和高电流承受能力。其设计适合于需要高效能和稳定性能的应用场
2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4854NG-VB MOSFET产品简介4854NG-VB是一款单N沟道MOSFET,由VBsemi公司生产,采用TO252封装。它具有极低的导通电阻、高漏极电流承载能力和优越的性能特征
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
参数表节选:的技术参数 KFD2-STC4-Ex1-Y1General specificationsSignal typeAnalog inputFunctional safety
2022-08-18 13:40 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
AFE7900EVM:德州仪器 4T4R+2FB 评估板详解在无线通信和信号处理的快速发展中,选择合适的评估工具对于工程师至关重要。AFE7900EVM 是由 德州仪器(Texas
2024-10-06 12:58 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 一、4865NG-VB 产品简介4865NG-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装。它设计用于高功率电子设备中,具有优异的功率开关特性和低导通电阻。采用先进的沟槽(Trench
2024-11-12 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5802NG-VB 产品简介5802NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有低漏极-源极电压(40V)和高电流处理能力
2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5407NG-VB 产品简介5407NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有较低的漏极-源极电压(40V)和高电流处理能力
2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号