### 一、3STS8235-VB 产品简介3STS8235-VB是一款双N+N沟道MOSFET,采用SOT23-6封装。该产品具有20V的漏源极电压(VDS),20V的栅源极电压(VGS),0.5
2024-11-07 17:29 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4STS8816-VB 产品简介4STS8816-VB 是一款双 N+N-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 SOT23-6 封装。它具有低漏极-源极电压(20V)和中等
2024-11-13 17:39 微碧半导体VBsemi 企业号
产品型号: STS2301A-VB丝印: VB2290品牌: VBsemi**详细参数说明:**- 封装类型: SOT23- 沟道类型: P-Channel- 额定电压: -20V- 最大电流
2024-02-20 10:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、56STS8205-VB 产品简介56STS8205-VB 是一款双N+N沟道MOSFET,采用SOT23-6封装。它具有低漏电流和高效能的特性,适合用于需要控制和调节电流的电子电路
2024-11-14 14:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:55STS8201-VB**55STS8201-VB是一款双N沟道加N沟道功率MOSFET,采用SOT23-6封装。它结合了双通道设计,在小封装下提供了高效的功率管
2024-11-14 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### 58STS8205E-VB 产品简介58STS8205E-VB 是一款双 N+N 沟道 MOSFET,采用 SOT23-6 封装,适用于要求高性能和小尺寸的电子应用。该器件结合了低导通电
2024-11-14 14:46 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:STS7NF60L-VB丝印:VBA1615品牌:VBsemi参数:- N沟道 MOSFET- 额定电压:60V- 最大持续电流:12A- 静态导通电阻 (RDS(ON)):12m
2023-12-20 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### AFP6405STS6RG-VB MOSFET 产品简介AFP6405STS6RG-VB 是一款单 P-Channel MOSFET,采用 SOT23-6 封装。它支持最大 -30V 的漏源
2024-11-28 15:34 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介57STS8205A-VB是一款双N沟道加N沟道MOSFET,采用SOT23-6封装,具有优秀的功率特性和高效的电流处理能力,适用于各种电子设备和电路设计。### 详细参数
2024-11-14 14:15 微碧半导体VBsemi 企业号