HMC994A：重塑微波频段的卓越性能华沣恒霖电子荣誉推出的HMC994A，一款GaAs、单芯片微波集成电路(MMIC)和PHEMT分布式功率放大器，凭借其卓越的性能，正引领着微波频段的技术潮流。其
2024-01-14 22:48 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
HMC1126：重塑微波频段的卓越性能华沣恒霖电子荣誉推出的HMC1126，一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、分布式功率放大器，凭借其卓越的性能
2024-01-14 22:50 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
ADPA7009CHIP：重塑微波领域的强大力量ADPA7009CHIP，一款砷化镓(GaAs)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)微波单片集成电路(MMIC)分布式功率放大器，凭借其卓越的性能，在
2024-01-14 22:56 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
HMC637A：卓越性能，重塑微波频段的未来华沣恒霖电子荣誉推出的HMC637A，一款GaAs MMIC MESFET分布式功率放大器裸片，凭借其卓越的性能，正引领着微波频段的技术潮流。其工作频率
2024-01-14 22:45 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 低相噪介质谐振振荡器（DRO）概述低相噪介质谐振振荡器（DRO）是一种高性能的微波振荡器，广泛应用于通信、雷达、电子对抗等领域。它利用介质谐振器的高Q值特性，实
2025-05-30 14:39 深圳市立维创展科技有限公司 企业号
HMC1127：重塑微波频段的卓越性能华沣恒霖电子荣誉推出的HMC1127，一款GaAs pHEMT MMIC分布式功率放大器，凭借其卓越的性能，正引领着微波频段的技术潮流。其工作频率范围覆盖2
2024-01-14 22:49 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
ADL8106ACEZ：重塑微波领域的强大力量ADL8106ACEZ是一款突破性的砷化镓(GaAs)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)微波单片集成电路(MMIC)宽带低噪声放大器。其卓越的性能
2024-01-14 22:58 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
MA4M3030 MNS微波芯片电容器重要参数 MA4M3030 MNS微波芯片电容器电容（PF）：30隔离电压（V）：200芯片样式：352产品详情介绍M/A-COM
2024-03-20 20:18 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
ADPA7001CHIPS：重塑高端微波频段的卓越性能ADPA7001CHIPS，一款砷化镓(GaAs)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、微波单片集成电路(MMIC)、平衡中等功率放大器，正以其
2024-01-14 22:53 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
MA4M3010 MNS微波芯片电容器重要参数 MA4M3010 MNS微波芯片电容器电容（PF）：10隔离电压（V）：200芯片样式：350 品牌：MACOM产品
2024-03-20 20:32 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
