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  • 请问VL逻辑电平瞬时拉低有无影响?

    响,那持续多长时间的不在范围内的供电电压会对芯片功能有影响? 另外,此问题还涉及到AD571及AD1674,请问对这两个芯片有无影响,谢谢!

    2018-09-18 11:23

  • 印制电路板的镀锡、褪锡、过程

    已完成线路蚀刻后的线路抗蚀层(即:经镀锡工艺形成的锡层)去除,露出线路,从而利于后续阻焊等工艺的制作。  覆工艺屮的是将已完成线路蚀刻后的线路抗蚀层(即:经曝光而固化的掩孔干

    2018-09-20 10:24

  • STM8flash区有上次刷写未擦除的数据,对新程序有无影响?

    stm8单片机程序更新:第一次烧录程序为17kb(其中BootLoader4kb)第二次通过BootLoader烧录程序(未擦除数据直接写入),程序大小约3kb,请问其它数据对新程序有无影响???

    2019-09-07 09:51

  • AD2S80A的VL逻辑电平管脚瞬时拉低有无影响?

    瞬时无影响,那持续多长时间的不在范围内的供电电压会对芯片功能有影响? 另外,此问题还涉及到AD571及AD1674,请问对这两个芯片有无影响,谢谢!

    2023-12-18 06:03

  • 英国

    英国欧是今天最大新闻,什么是欧?通俗一点说就是起初几个大佬(英法德意)建了个信群,没事发发红包,互惠互利,后来进群的小弟越来越多,只抢不发,大佬不高兴,现在这世

    2016-06-25 17:48

  • VirtualLab Fusion应用:透镜阵列CMOS传感器分析

    摘要 近几十年来,CMOS传感器的像素尺寸已经从10µm缩小到2µm,甚至更小。通过减小像素尺寸,可以获得更高的空间分辨率。同时,这也给每个像素上透镜的功能带来了问题。在本例中,我们研究像素

    2025-04-07 08:56

  • 特征工艺尺寸对CMOS SRAM抗粒子翻转性能的影响

    不同特征尺寸的MOS晶体管,计算了由这些晶体管组成的静态随机存储器(SRAM)粒子翻转的临界电荷Qcrit、LET阈值(LETth),建立了LETth与临界电荷之间的解析关系,研究特征工艺尺寸

    2010-04-22 11:50

  • STC12C5A16S2, 都用多大的晶振, 用35M是不是只能上有源晶振, 有源晶振对isp有无影

    本帖最后由 hands 于 2011-3-28 16:44 编辑 STC12C5A16S2, 都在用多大的晶振, 用35M是不是只能上有源晶振, 有源晶振对isp有无影

    2011-03-28 16:44

  • 手术无影灯设计电路

    两个24V,180W灯,当主灯被烧坏时,副灯马上自动点亮,各位同仁给点意见。这是手术无影灯上的一个设计电路。

    2010-12-28 11:01

  • 采用SOI-CMOS技术的UV传感器IC

    出途中也能简单、轻松地检知UV辐射量就方便而又实用了。冲电气的UV传感器IC“ML8511”就是这样一款世界首创采用SOI-CMOS技术,实现UV受光元件与模拟输出电路芯片化的商品。使用该商品后

    2018-10-25 17:01