### 产品简介**型号:5806NG-VB**5806NG-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO252封装。它具有低导通电阻和优异的电气特性,适用于各种需要高
2024-11-14 14:28 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、5807NG-VB 产品简介5807NG-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装。它具有高电流承载能力和低导通电阻,适合用于需要高效能和可靠性
2024-11-14 14:34 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4808NG-VB 是一款单通道 N-Channel MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造,适用于高电流和高效率的电子系统设计。封装为 TO252,结合了小尺寸和良好
2024-11-11 17:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4813NG-VB 产品简介4813NG-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装。它设计用于高功率电子设备中,提供优异的功率开关特性和低导通电阻
2024-11-11 17:26 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5805NG-VB 产品简介5805NG-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,具有低导通电阻和高电流承受能力。其设计适合于需要高效能
2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4854NG-VB MOSFET产品简介4854NG-VB是一款单N沟道MOSFET,由VBsemi公司生产,采用TO252封装。它具有极低的导通电阻、高漏极电
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4969NG-VB MOSFET 产品简介4969NG-VB 是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用Trench技术,封装为TO
2024-11-12 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4865NG-VB 产品简介4865NG-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装。它设计用于高功率电子设备中,具有优异的功率开关特性和低导通电阻
2024-11-12 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5802NG-VB 产品简介5802NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有低漏极-源极电压(
2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号