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型号：CGA4<b class='flag-s-7'>J3X7S2A105KT0Y0N</b> 品牌：

和去耦，共振回路(C0G)，要求高信赖性的装、TDK车规电容CGA4J3X7S2A105KT0Y0N 主要参数制造商:TDK CorporationTDK

2024-08-09 15:47 谷京科技代理村田TDK贴片电容 企业号

型号：IPD800<b class='flag-s-7'>N06NG</b>-VB 品牌：微碧

## 产品简介IPD800N06NG-VB是VBsemi公司推出的N沟道场效应管。作为一款高性能的功率器件，它具有60V的最大耐压、45A的最大电流以及低导通电阻，适用于各种需要高电压和高电流驱动

2024-06-03 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4969<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 4969NG-VB MOSFET 产品简介4969NG-VB 是一款单N沟道（Single-N-Channel）MOSFET，采用Trench技术，封装为TO2

2024-11-12 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5805<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 5805NG-VB 产品简介5805NG-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有低导通电阻和高电流承受能力。其设计适合于需要高效能和稳定性能的应用场

2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4854<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 4854NG-VB MOSFET产品简介4854NG-VB是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi公司生产，采用TO252封装。它具有极低的导通电阻、高漏极电流承载能力和优越的性能特征

2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IPP048<b class='flag-s-7'>N04NG</b>-VB 品牌：微碧

型号: IPP048N04NG-VB丝印: VBM1405品牌: VBsemi参数:- 封装: TO220- 沟道类型: N—Channel- 额定电压(V): 40V- 额定电流(A

2023-12-29 17:16 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5802<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 5802NG-VB 产品简介5802NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO252 封装。它具有低漏极-源极电压（40V）和高电流处理能力

2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5407<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 5407NG-VB 产品简介5407NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO252 封装。它具有较低的漏极-源极电压（40V）和高电流处理能力

2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4905<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 一、4905NG-VB 产品简介4905NG-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装。它专为需要高功率处理和低导通电阻的应用而设计。通过沟槽（Trench）技术制造

2024-11-12 13:51 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5803<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介5803NG-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有高效能、低导通电阻和稳定的性能特征，适用于需要高电流和高频率操作的电子应用。### 详细参数

2024-11-14 14:19 微碧半导体VBsemi 企业号