### 产品简介**9T16J-VB**是一款低压单N沟道MOSFET,采用TO251封装。它具备低漏极-源极电压和极低的导通电阻特性,适合于低压高功率处理的应用场合。采用Trench技术制造,能够
2024-11-27 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介详细:AP9T16J-VB 是一款单路N沟道场效应管,采用先进的Trench技术制造。它适用于中低压电路设计,具有30V的漏极-源极电压(VDS)。该器件在不同的栅极-源极电压
2024-12-27 15:08 微碧半导体VBsemi 企业号
MT41K64M16TW-107 AUT:J是一款高性能的DDR3 SDRAM内存芯片,由MICRON制造,专为满足现代电子设备对高速内存的需求而设计。该产品具备出色的存储性能和能效,适用于多种
2025-02-14 07:37 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
Qorvo 的 QPD0011J 是一款射频晶体管,频率为 3.4 至 3.6 GHz,功率 42 dBm,功率 (W) 16 W,饱和功率 50.2 dBm,增益 12.6 dB。QPD0011J
2022-10-12 11:55 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号