1. 为什么E-MOSFET的阈值电压随着半导体衬底掺杂浓度的提高而增大？而随着温度的升高而下降？ 【答】E-MOSFET的阈值电压就是使半导体表面产生反型层（导电沟道
2022-02-11 10:40
2020-08-13 11:39
采用基于物理的指数MOSFET模型与低功耗传输域MOSFET模型，推导了新的超深亚微米无负载四管与六管SRAM存储单元静态噪声容限的解析模型．对比分析了由沟道掺杂原子本征涨落引起的相邻MOSFET的
2021-03-26 15:17
工程师习惯性的认为：如果VGS尖峰电压大于功率MOSFET的阈值电压VTH，下管就会导通，那么上、下管就会产生直通，也就是所谓的Shoot Through，从而导致开关管的损坏。VTH，功率
2016-11-08 17:14
1中的t1），源极电压（VGS）正接近MOSFET的阈值电压，VTH和漏电流为零。因此，在此期间的功率损耗为零。在t2时段，MOSFET的寄生输入电容（CISS）开始充
2022-11-16 08:00
ADP2386的典型应用编程输入电压UVLO上升阈值为11 V，下降阈值为10 V，VIN = 12 V，VOUT = 5 V，IOUT = 6 A，fSW = 600 kHz。 ADP2386
2020-05-05 06:47
转换，负载开关，电机控制，背光，电池保护，电池充电器，音频电路和汽车。推荐产品：BSS138DW-7-F；BSS138-7-FDiodes其它相关产品请点击此处前往特征：低导通电阻低栅极阈值电压输入
2019-05-13 11:07
承受电压。如果P-体区的厚度不够，高掺杂太高，耗尽区可以由通孔达到N源极区，从而降低了击穿电压值。如果P-体区的厚度太大，高掺杂不够，沟道的电阻和阈值电压将增大。因此需要仔细的设计P-体区、epi掺杂
2016-09-06 15:41
MOSFET。功率MOSFET的无损保护是LM9061。通过电源设备的电压降（VDS）持续监测，并与外部可编程阈值电压进行比较。小电流感应电阻与负载串联，导致损耗保护电
2020-07-14 14:53
的影响更明显。（3）降低米勒电压，也就是降低阈值开启电压同时提高跨导，也可以提高开关速度，降低开关损耗。但过低的阈值电压会使MO
2017-03-06 15:19
