请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13
mosfet没有上电时，mosfet驱动电压很正常，mosfet上电后，mosfet的驱动
2019-03-05 09:53
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层的外延层epi厚度N-决定。功率MOSFET的N+源极和P-体区形成的结
2023-02-20 17:21
谁来阐述一下mosfet是电压型器件吗
2019-10-25 15:58
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计
2021-07-29 09:46
SiCMOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介
2022-09-20 08:00
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计
2021-10-28 10:06
的差异相互扩散，也会在PN结的两侧产生电荷存储效应，这些因素作用在一起，在任何半导体功率器件内部，就会产生相应的寄生电容。MOSFET的寄生电容是动态参数，直接影响到其开关性能，MOSFET的栅极电荷
2016-12-23 14:34
MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压是为使MOSFET导通，栅极与源极间
2019-05-02 09:41
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的相关章节专门的讨论。 图1：BVDSS测试电路功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层
2016-09-06 15:41
