高性能单层二硫化钼晶体管的实现让科研界看到了二维半导体的潜力，二维半导体材料的发展让我们看到了晶体管纵向尺寸下目前的缩放极限（< 1 nm），同样的科学家们也没有停止追寻二维半导体晶体管横向尺寸的极限（也就是晶体管沟道长度的缩放极限）。
2022-10-17 10:50
MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三
2018-03-09 14:28
教授团队的一项突破性进展。他们通过使用范德华金属集成的方法，成功实现了 1 纳米物理沟道长度的垂直场效应晶体管，为半导体器件性能的进一步提升提供了全新的思路。 所谓的几纳米几纳米的芯片，原本指的是芯片内部电极之间的最小距离。更短的距离意味着更低的能耗和更强的性能
2021-05-10 11:04
上一期中提到 当V_DS>V_GS-V_TH时，沟道中出现夹断效应，沟道的长度对略微减小。很多场景我们可以忽略这个长度
2023-02-16 11:38
电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXY
2021-05-27 12:18
由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道
2022-11-18 11:28
P沟道与N沟道MOSFET作为半导体器件中的关键元件，在电子电路设计中扮演着重要角色。它们各自具有独特的工作原理、结构特点以及应用场景。
2024-08-13 17:02
Littelfuse P沟道功率MOSFETs，虽不及广泛使用的N沟道MOSFETs出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加， P沟道功率MOSFE
2024-04-02 14:27
N沟道增强型MOSFET N沟道增强型MOSFET的工作原理 1) N沟道增强型
2009-09-16 09:38
N沟道耗尽型MOSFET 1) N沟道耗尽型MOSFET的结构 N
2009-09-16 09:41
