嗨，有没有办法在Xilinx FPGA芯片的数据表中找到晶体管沟道长度规格？作为我项目的一部分，我正在比较基于标准单元的设计和FPGA板设计的特性。我使用的标准单元是TSMC adk型号，其通道长度
2019-11-11 07:10
高性能单层二硫化钼晶体管的实现让科研界看到了二维半导体的潜力，二维半导体材料的发展让我们看到了晶体管纵向尺寸下目前的缩放极限（< 1 nm），同样的科学家们也没有停止追寻二维半导体晶体管横向尺寸的极限（也就是晶体管沟道长度的缩放极限）。
2022-10-17 10:50
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，
2023-02-02 16:26
的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性，就RDS(on)而言，为得到相等的值，P沟道的管芯尺寸大约是N沟道的三倍。因此N沟道
2021-04-09 09:20
MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性，就RDS(on)而言，为得到相等的值，P沟道
2018-03-03 13:58
、P沟道增强型MOSFETP沟道增强型MOSFET采用轻掺杂N衬底进行简单设计。在这里，两种重掺杂的P型材料通过一定沟道长度分开，薄二氧化硅层沉积在通常称为介电层的基板
2022-09-27 08:00
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00
MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三
2018-03-09 14:28
教授团队的一项突破性进展。他们通过使用范德华金属集成的方法，成功实现了 1 纳米物理沟道长度的垂直场效应晶体管，为半导体器件性能的进一步提升提供了全新的思路。 所谓的几纳米几纳米的芯片，原本指的是芯片内部电极之间的最小距离。更短的距离意味着更低的能耗和更强的性能
2021-05-10 11:04
