电子发烧友

型号：<b class='flag-s-7'>XU</b>1006-QB 品牌：

XU1006-QB砷化镓变送器MACOM 的 36.0-42.0 GHz GaAs 发射器在整个频段具有 +17.0 dBm 输出三阶截距。该器件是一个平衡的电阻式 pHEMT 混频器，后跟一个

2022-12-28 15:31 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号

型号：4865<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 一、4865NG-VB 产品简介4865NG-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装。它设计用于高功率电子设备中，具有优异的功率开关特性和低导通电阻。采用先进的沟槽（Trench

2024-11-12 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IPP048<b class='flag-s-7'>N04NG</b>-VB 品牌：微碧

型号: IPP048N04NG-VB丝印: VBM1405品牌: VBsemi参数:- 封装: TO220- 沟道类型: N—Channel- 额定电压(V): 40V- 额定电流(A

2023-12-29 17:16 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4905<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 一、4905NG-VB 产品简介4905NG-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装。它专为需要高功率处理和低导通电阻的应用而设计。通过沟槽（Trench）技术制造

2024-11-12 13:51 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：MSCDR45<b class='flag-s-7'>X160BL3NG</b> 品牌：

MSCDR45X160BL3NG型号简介      MSCDR45X160BL3NG是Microchip推出的一款功率模块，这款功率模是一款令人叹为观止的杰作

2024-12-04 14:22 立年电子科技 企业号

型号：4969<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 4969NG-VB MOSFET 产品简介4969NG-VB 是一款单N沟道（Single-N-Channel）MOSFET，采用Trench技术，封装为TO2

2024-11-12 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：MSCGLQ25<b class='flag-s-7'>X120CRTBL3NG</b> 品牌：

MSCGLQ25X120CRTBL3NG型号简介       MSCGLQ25X120CRTBL3NG是Microchip推出的一款功率模块，这款功率模的无

2024-12-04 11:45 立年电子科技 企业号

型号：XP1080-<b class='flag-s-7'>QU-0N</b>00 品牌：

XP1080-QU-0N00放大器XP1080-QU 是一款四级 37.0-40.0 GHz 封装的 GaAs MMIC 功率放大器，具有 25.0 dB 的小信号增益和 +38.0 dBm 输出

2022-12-06 20:42 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号

型号：5805<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 5805NG-VB 产品简介5805NG-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有低导通电阻和高电流承受能力。其设计适合于需要高效能和稳定性能的应用场

2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4854<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 4854NG-VB MOSFET产品简介4854NG-VB是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi公司生产，采用TO252封装。它具有极低的导通电阻、高漏极电流承载能力和优越的性能特征

2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号