异质结双极晶体管
2012-08-20 08:57
异质运算的典型使用案例是什么？迈向异质的编程模型时会面临哪些挑战？
2021-06-01 06:52
形成自建电场，自建电场又使载流子漂移，漂移的方向正与以上扩散的方向相反。平衡时，载流子的漂移与扩散相等，自建电场区没有载流子，称之为空间电荷区。这样，pn结就形成了。pn结有同质结和
2016-11-29 14:52
下面这段话摘自AD849xDatasheet“热电偶由两种异质金属组成。这些金属在一端相连，形成测量结，也称为热结。热电偶的另一端连接到与测量电子装置相连的金属线。此连接形成第二个
2018-10-15 14:39
类型包括硅锗双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）和硅锗异质结双极晶体管（SiGe HBTs）。DTRA关注的其他设备类型还包括45纳米绝缘硅（SOI）芯片、氮化镓异质结场效应晶体管（GaAn HFET）功率半导体
2012-12-04 19:52
pn结和pin结是两种最基本的器件结构，也是两种重要的二极管。从结构和导电机理上来说，它们有许多共同点，但是也存在不少的差异。l 相同点：（1）都存在空间电荷区和势垒区，则都有势垒电容；（2）都具有
2013-05-20 10:00
p-n结是半导体内部n型和p型半导体材料之间的界面或边界。固态电子学的关键之一是P-N结的性质。例如，PN结二极管是最简单的半导体器件之一，其特性是仅在一个方向上传递电流。半导体的p侧或正侧有过
2023-02-08 15:24
l. PN结的形成(1)载流子的扩散运动用掺杂工艺在一块完整半导体中，一部分形成P型半导体，另一部分形成N 型半导体。那么，在两种杂质型半导体交界处两侧，P区的空穴（多子）浓度远 大于N区的空穴
2017-07-28 10:12
从本篇开始，介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位首先来看近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率
2018-11-28 14:28
在阅读半导体器件的Datasheet时，我们经常可以看到很多温度值，结温度，外壳温度，环境温度等等。本人在网上查阅了一些相关资料，在此做简要说明。一份典型的关于半导体温度相关参数的说明如下图所示
2019-09-20 09:05
