耦合后会在MOS管的栅极输入端产生振荡电压,振荡电压会破坏MOS管的氧化
2018-10-19 16:21
几十毫伏左右，几豪欧的也有。MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，
2018-12-03 14:43
的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 M
2019-02-14 11:35
的IGBT门极开通电压尖峰是怎么回事? 图1a IGBT门极开通尖峰 图1b IGBT门极开通尖峰机理分析：IGBT门极驱动的等效电路如图2所示： 图2. IGBT驱动
2021-04-26 21:33
。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考
2018-10-19 10:10
的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失时电压和电流的乘积，叫做开
2017-12-05 09:32
一、MOS管选型注重的参数1、负载电流IL --它直接决定于MOSFET的输出能力；2、输入-输出电压–它受MOSFET负载占空比能力限制；3、开关频率FS–参数影响MOSFET开关
2021-11-16 09:06
MOS管驱动电压最大是多少？过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可bai以理解为：du超过驱动门限（Vth）的剩余电压大小
2021-11-12 08:18
确定的测试条件，在不同的条件下具有不同的值，而且BVDSS具有正温度系数，在实际的应用中要结合这些因素综合考虑。 很多资料和文献中经常提到：如果系统中功率MOS管的VDS的最高尖峰
2018-11-19 15:21
的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 M
2018-10-26 14:32
