关于 增强型PMOS管开启电压Vgs疑问 有以下三个问题，请教各位大神：1、如下图：增强型PMOS管G极接地（Vg=0V），按我的理解，只有在S极电压高于0v（至少零点
2017-11-22 10:01
如题。请问一下，MOSFET的手册里面哪个参数能看的出来，当其作为开关管，完全打开的时候，Vgs的电压？同事跟我讲，默认12V大多数都可以完全打开(NMOS)。低于12V就有点悬，MOS打开不完全
2020-11-11 21:37
如图是一款反击开关电源MOS管在Vin=264V时波形，黄色是Vgs电压；蓝色是Vds电压，粉红色是Ig电流。现不知为何在MOS管
2014-08-04 18:01
看到TI有一款芯片是LM5050MK，它可以charger pump控制外部FET，但是我看到LM5050MK的GATE管教最大可以输出14V，那么当外接MOS管输入电压是24V是，这个MOS管的VGS能达到
2019-04-03 08:48
MOS管型号：SIS412DN-T1-GE3我用Vgs电压5V，Vds电压24V，Id电流120ma，发现这个情况下mos管发烫都有八九十度了。且Id电流越大越烫，我不太能够理解为什么会发烫。按我理解:
2022-09-02 12:11
，漏极和源极间的阻抗只有83毫欧，可以认为压降已经很小了。P沟道MOS管开关电路PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。需要注意的是，
2019-01-28 15:44
MOS管型号：HG1006D参数：100V 25A封装：DFN3333内阻：25mR(Vgs=10V)30mR(Vgs=4.5V)结电容：839pF开启电压：1.7V应
2021-12-29 07:42
输入端峰峰值最大10V正弦波信号。想通过分立的MOS管，实现让Ids相对Vgs线性增加的。Ids可在2mA~20mA变化.通过观察NMOS的 Id-Vgs关系图,不可能实现线性变化的.请问有没有什么管子可以实现线性变
2018-04-26 21:37
30V供电，输出电流开路时，VG引脚输出电压会超过MOS管的VGS，会导致MOS管损坏？是不是电源电压不能超过mos管的VGS
2024-08-07 07:30
、上位机等，给新手综合学习的平台，给老司机交流的平台。所有文章来源于项目实战，属于原创。一、原理介绍如上图，PMOS管是压控型器件，Vgs大于开启电压时，内部沟道在场强的作用下导通，
2021-07-19 07:10
