。 最早采用基于氮化镓的FET和集成电路的设计人员，就是发挥比MOSFET快10倍开关速度和比IGBT快100倍开关速度
2023-06-25 14:17
和信号，一直是业界无法实现的。因为硅器件的开关速度太慢，而且存在驱动器和 FET 之间的寄生阻抗、高电容硅 FET 以及性能不佳的电频转换器/隔离器，导致了硅器件无法做到更高的频率。氮化镓半桥
2023-06-15 14:17
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍。 更重要的是，氮化
2023-06-15 15:41
高效能、高电压的射频基础设施。几年后，即2008年，氮化镓金属氧化物半导场效晶体（MOSFET）（在硅衬底上形成）得到推广，但由于电路复杂和缺乏高频生态系统组件，使用率较低。
2023-06-15 15:50
超低的电阻和电容，开关速度可提高一百倍。 为了充分利用氮化镓功率芯片的能力，电路的其他部分也必须在更高的频率下有效运行。近年加入控制芯片之后，氮化
2023-06-15 15:53
的测试，让功率半导体设备更快上市并尽量减少设备现场出现的故障。为帮助设计工程师厘清设计过程中的诸多细节问题，泰克与电源行业专家携手推出“氮化镓电源设计从入门到精通“8节
2020-11-18 06:30
极限。而上限更高的氮化镓，可以将充电效率、开关速度、产品尺寸和耐热性的优势有机统一，自然更受青睐。 随着全球能量需求的不断增加，采用氮化
2023-06-15 15:47
GaN如何实现快速开关？氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计？
2021-06-17 10:56
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅
2022-11-16 06:23
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。 更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32
