MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
2019-06-25 15:23
可通过基极电流开启或关闭双极结型晶体管(BJT)。但是，由于基极-发射极二极管两端的压降在很大程度上取决于温度，因而在许多应用中，需要一个串联电阻将基极电流保持在所需水平，从而确保BJT稳定安全地工作。了解如何使用RET来应对标准BJT的温度依赖性。
2023-02-03 10:17
功率开关器件的规格书上有着多种多样的数据，如静态特性参数，动态特性参数，开关特性参数等等。其中静态
2023-02-22 14:40
逻辑门：完成一些基本逻辑功能的电子电路。现使用的主要为集成逻辑门。
2023-03-27 17:45
三极管在数字电路里的开关特性，最常见的应用有 2 个：一个是控制应用，一个是驱动应用。
2017-12-22 17:16
。但是IGBT良好特性的发挥往往因其栅极驱动电路设计上的不合理，制约着IGBT的推广及应用。本文分析了IGBT对其栅极驱动电路的要求，设计了一种适用于高频条件下小功率电路可靠稳定的分立式IGBT驱动电路。
2018-06-29 15:25
电力晶体管是一种双极型大功率高反压晶体管，由于其功率非常大，所以，它又被称作为巨型晶体管，简称GTR。GTR是由三层半导体材料两个PN结组成的，三层半导体材料的结构形式可以是PNP，也可以是NPN。大多数双极型功率晶体管是在重掺质的N+硅衬底上，用外延生长法在N+上生长一层N漂移层，然后在漂移层上扩散P基区，接着扩散N+发射区，因之称为三重扩散。基极与发射极在一个平面上做成叉指型以减少电流集中和提高器件电流处理能力。
2018-03-01 16:06
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11
