650 V CoolSiC™混合分立器件，该器件包含一个50A TRENCHSTOP™ 快速开关 IGBT 和一个 CoolSiC 肖特基二极管，能够提升性价比并带来高
2021-03-29 11:00
大功率开关电源常用元器件知识之 IGBT和IPM及其应用电路资料来自网络资源分享
2021-06-01 18:37
器件击穿电压的增加而增加。在额定电压高于 200 V 时，MOSFET 的传导性能低于 BJT。 IGBT结合了这两个领域的优点，实现了高性能电源开关：它提供了MOSFET的轻松驱动和BJT的导
2023-02-24 15:29
各位大师 前提：我们在做一款逆变电路，igbt作开关器件，1.开关器件开通给的栅极Vg是+15~20v，，2.发射级接负
2013-06-03 19:19
，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关
2012-06-19 11:36
的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常
2012-07-25 09:49
: BJT）组成的复合型器件，它既具有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度快、开关损耗小的优点，又具有BJT的电流密度大、饱和电压低、电流处理能力强的优点，在高压、大电流、高速
2015-12-24 18:13
）就通了；再给低电平信号，开关就断了。这种可以用数字信号控制的强电开关还有很多种。IGBT是非常成功的电力电子器件之一。相比之下，还有很多不为人知的
2023-02-16 15:36
时间内（由600V IGBT3的6微秒增至650V IGBT4的10微秒），该器件具备出类拔萃的开关性能和短路鲁棒性。结论利用英飞凌新型650V
2018-12-07 10:16
半导体器件。上次从IGBT的名称入手，搞清楚了IGBT栅极和双极性所包含的背后意义。这次我们从IGBT的定义出发，来看看为什么说
2023-02-10 15:33
